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概览

优势和特点

  • 通过采用一个 N 沟道 MOSFET 替代一个功率肖特基二极管来降低功耗
  • 0.5μs 关断时间限制峰值故障电流
  • 宽工作电压范围:9V 至 80V
  • 无振荡现象的平滑切换
  • 无反向 DC 电流
  • 采用 6 引脚 (2mm x 3mm) DFN 和 8 引脚 MSOP 封装

 

产品详情

LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器,用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。

LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作,以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中,LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压降,以确保从一条路径至另一条路径的平滑电流转移而没有振荡现象。在电源发生故障或短路的情况下,快速关断操作可较大限度地减小反向电流瞬变。

 


应用

  • N+1 冗余电源
  • 高可用性系统
  • AdvancedTCA 系统
  • 电信基础设施
  • 汽车系统

 

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工具及仿真模型

LTspice

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LTspice

LTspice中提供以下器件型号:

LTC4357

参考电路 (9)

配套产品推荐

LTC4357 配套产品

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Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
LTC4357CDCB#TRMPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357CDCB#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357CMS8#PBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357CMS8#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357HDCB#TRMPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357HDCB#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357HMS8#PBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357HMS8#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357IDCB#TRMPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357IDCB#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 6-Lead DFN (2mm x 3mm w/ EP)
LTC4357IMS8#PBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357IMS8#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357MPMS8#PBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
LTC4357MPMS8#TRPBF 材料声明 质量和可靠性 8-Lead MSOP
Wafer Fabrication Data R536 Reliability Data

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