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LTC4358: 5A Ideal Diode Data Sheet8/25/2008
概览
优势和特点
- 可替代一个功率肖特基二极管
- 内部 20mΩ N 沟道 MOSFET
- 0.5μs 的关断时间以限制峰值故障电流
- 工作电压范围：9V 至 26.5V
- 实现了无振荡的平滑切换
- 无反向 DC 电流
- 采用 14 引脚 (4mm x 3mm) DFN 和 16 引脚 TSSOP 封装
产品详情
LTC®4358 是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358 降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。
LTC4358 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358 负责调节内部 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一条通路至另一条通路的无振荡平滑电流转换。如果电源发生故障或短路，则快速关断操作将能够较大限度地减小反向电流瞬变。
应用
- N+1 冗余电源
- 高可用性系统
- 电信基础设施
- 汽车系统
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
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R536 Reliability Data3/26/2018
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DC1204A - Demo Manual9/24/2009
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Ideal Diodes and Prioritizers6/8/2018
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LTspice: Parametric Plots8/6/2013
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Ideal Diode Betters a Schottky by a Factor of Four in Power and Space Consumption6/1/2008 LT Journal
工具及仿真模型
LTspice
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LTspice仿真
LTspice中提供以下器件型号：
LTC4358
参考电路 (2)
配套产品推荐
LTC4358 配套产品
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| LTC4358CDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4358CDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4358CFE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP w/ EP | |
| LTC4358CFE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP w/ EP | |
| LTC4358IDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4358IDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4358IFE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP w/ EP | |
| LTC4358IFE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP w/ EP | |
| Wafer Fabrication Data | R536 Reliability Data |
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