概览
优势和特点
- 可替代功率肖特基二极管
- 用于控制 N 沟道 MOSFET
- 0.3μs 的关断时间限制峰值故障电流
- 宽工作电压范围：9V 至 80V
- 实现了无振荡的平滑切换
- 无反向 DC 电流
- 可监视 VIN、熔丝和 MOSFET 二极管
- 采用 14 引脚 (4mm x 3mm) DFN、16 引脚 MS 和 SO 封装
产品详情
LTC®4355 是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。
借助 LTC4355 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355 能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V 系统中)。
在正向上，LTC4355 负责控制 MOSFET 两端的电压降，以确保从一条通路至另一条通路的平滑电流转换，而且并无振荡。如果某个电源发生故障或短路，快速关断将能够较大限度地减小反向电流瞬变。
如果输入电源不处于稳压状态、内嵌式熔丝烧断、或 MOSFET 两端的电压高于故障门限，则电源故障检测电路将发出指示信号。
应用
- 高可用性系统
- AdvancedTCA® (ATCA) 系统
- +48V 和 -48V 分布式电源系统
- 电信基础设施
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
R536 Reliability Data3/26/2018PDF49 K
-
DC1066A - Demo Manual9/24/2009PDF948K
-
DN444 - 理想二极管提供了针对电源布线错误的保护作用6/23/2008PDF660K
-
Ideal Diodes and Prioritizers6/8/2018PDF1 M
-
Replace Batteries in Power Ride-Through Applications with Robust Supercaps and 3mm × 3mm Capacitor Charger9/1/2008 LT Journal
-
Ideal Diode Betters a Schottky by a Factor of Four in Power and Space Consumption6/1/2008 LT Journal
-
A Cool Circuit: 48V Ideal Diode-OR Reduces Heat Dissipation6/1/2007 LT Journal
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
LTC4355
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| LTC4355CDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4355CDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4355CMS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355CMS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355CS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch) | |
| LTC4355CS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch) | |
| LTC4355HMS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355HMS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355IDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4355IDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 14-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
| LTC4355IMS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355IMS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
| LTC4355IS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch) | |
| LTC4355IS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead SOIC (Narrow 0.15 Inch) | |
| Wafer Fabrication Data | R536 Reliability Data |
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