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LTC4353: Dual Low Voltage Ideal Diode Controller Data Sheet5/14/2012PDF241K
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概览
优势和特点
- 功率二极管的低功率替代方案
- 可控制 N 沟道 MOSFET
- 0V 至 18V 电源“或”操作或保持
- 1μs 的栅极接通和关断时间
- 使能输入
- MOSFET 导通状态输出
- 16 引脚 MSOP 封装和 DFN (4mm x 3mm) 封装
产品详情
LTC®4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器,从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。
LTC4353 可调节 MOSFET 两端的正向电压降,以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路,则快速关断可较大限度地抑制反向电流瞬变。
该控制器可在 2.9V 至 18V 的电源范围内运作。倘若两个电源均低于 2.9V,则需要在 VCC 引脚上连接一个外部电源。使能输入可用于关断 MOSFET 以及把控制器置于一种低电流状态。状态输出负责指示 MOSFET 是处于导通还是关断状态。
应用
- 冗余电源
- 电源保持
- 高可用性系统和服务器
- 电信和网络基础设施
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
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R536 Reliability Data3/26/2018PDF49 K
-
DC1926A - Demo Manual8/24/2012PDF125K
-
Ideal Diodes and Prioritizers6/8/2018PDF1 M
工具及仿真模型

LTspice中提供以下器件型号:
设计资源
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Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
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LTC4353CDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
LTC4353CDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
LTC4353CMS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
LTC4353CMS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
LTC4353IDE#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
LTC4353IDE#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead DFN (4mm x 3mm w/ EP) | |
LTC4353IMS#PBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
LTC4353IMS#TRPBF | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead MSOP | |
Wafer Fabrication Data | R536 Reliability Data |
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