新产品速递


ADI公司将根据客户不断变化的设计需求,定期更新analog.com网站上的IC产品。

射频和微波 (3)
X+
量产
GaAs MMIC SMT电压可变衰减器,DC - 8 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHz
推荐新设计使用
30 V, 8 MHz, Low Bias Current, Single-Supply, RRO, Precision Quad Op Amp
推荐新设计使用
Dual, 16-Bit, 12.6 GSPS RF DAC with Channelizers
推荐新设计使用
18-Bit, 1 MSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 500 kSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
20位、2 MSPS精密SAR差分ADC
处理器和DSP (3)
X+
推荐新设计使用
单核SHARC+(带384KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+(带768KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+ DSP(带768KB L1)、1MB共用的L2、DDR、400-cspBGA
推荐新设计使用
0.1 GHz至6 GHz硅SP5T开关
量产
GaAs MMIC SMT电压可变衰减器,DC - 8 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHz
量产
GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,DC - 22 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz
推荐新设计使用
6 GHz至26 GHz宽带I/Q混频器
推荐新设计使用
3.0 V至5.5 V VIO、±12 kV IEC ESD保护、50 Mbps RS-485收发器
推荐新设计使用
30 V, 8 MHz, Low Bias Current, Single-Supply, RRO, Precision Quad Op Amp
推荐新设计使用
Dual, 16-Bit, 12.6 GSPS RF DAC with Channelizers
推荐新设计使用
IEEE1588 Version 2 and 1 pps Synchronizer and Adaptive Clock Translator
推荐新设计使用
16通道DAS,内置16位、双极性输入、双路同步采样并行接口ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 1 MSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 500 kSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
20位、2 MSPS精密SAR差分ADC
MEMS (1)
X+
推荐新设计使用
60 g 到 480 g 双轴 SPI 和 PSI5 传感器
推荐新设计使用
单核SHARC+(带384KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+(带768KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+ DSP(带768KB L1)、1MB共用的L2、DDR、400-cspBGA
推荐新设计使用
0.3 GHz 到 6 GHz、35 W、GaN 功率放大器
推荐新设计使用
450 MHz 到 2800 MHz,具有集成式小数分频 PLL 和 VCO 的 DPD RFIC
推荐新设计使用
0.1 GHz至6 GHz硅SP5T开关
量产
GaAs MMIC SMT电压可变衰减器,DC - 8 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC电压可变衰减器,5 - 26.5 GHz
推荐新设计使用
50 GHz 至 95 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、宽带低噪声放大器
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHz
量产
GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,DC - 22 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz
推荐新设计使用
GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器,27.3 - 33.5 GHz
量产
GaAs pHEMT MMIC功率放大器,DC - 28 GHz
推荐新设计使用
带有观察路径的集成双射频收发器
推荐新设计使用
6 GHz至26 GHz宽带I/Q混频器
推荐新设计使用
串行控制、高压防闩锁型四通道SPST开关
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
3.0 V至5.5 V VIO、±12 kV IEC ESD保护、50 Mbps RS-485收发器
推荐新设计使用
30 V, 8 MHz, Low Bias Current, Single-Supply, RRO, Precision Quad Op Amp
推荐新设计使用
Dual, 16-Bit, 12.6 GSPS RF DAC with Channelizers
推荐新设计使用
IEEE1588 Version 2 and 1 pps Synchronizer and Adaptive Clock Translator
推荐新设计使用
16通道DAS,内置16位、双极性输入、双路同步采样并行接口ADC
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、差分 SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 1 MSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 500 kSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
RF 分集和 1.2GHz BW 观察接收器
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、伪差分 SAR ADC
推荐新设计使用
8 通道锂离子电池监控系统
推荐新设计使用
20位、2 MSPS精密SAR差分ADC
推荐新设计使用
14 位、3GSPS、JESD204B、双通道模数转换器
推荐新设计使用
集成四通道低噪声降压调节器的电源解决方案
推荐新设计使用
-500 mA、超低噪声、高PSRR、低压差线性稳压器
MEMS (8)
X+
推荐新设计使用
带数字输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴MEMS加速度计
推荐新设计使用
带模拟输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴MEMS加速度计
推荐新设计使用
微功耗、3轴、±200 g数字输出MEMS
推荐新设计使用
低噪声、高频 +/-100g MEMS 加速度计
推荐新设计使用
低噪声、高频 +/-50g MEMS 加速度计
推荐新设计使用
7自由度惯性传感器
推荐新设计使用
侧翻检测层内陀螺仪
推荐新设计使用
60 g 到 480 g 双轴 SPI 和 PSI5 传感器
推荐新设计使用
集成电源管理和128Kb嵌入式闪存的超低功耗ARM Cortex-M3 MCU
推荐新设计使用
单核SHARC+(带384KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+(带768KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+ DSP(带768KB L1)、1MB共用的L2、DDR、400-cspBGA
推荐新设计使用
集成电源管理和256Kb嵌入式闪存的超低功耗ARM Cortex-M3 MCU
推荐新设计使用
0.3 GHz 到 6 GHz、35 W、GaN 功率放大器
推荐新设计使用
450 MHz 到 2800 MHz,具有集成式小数分频 PLL 和 VCO 的 DPD RFIC
推荐新设计使用
0.1 GHz至6 GHz硅SP5T开关
量产
GaAs MMIC SMT电压可变衰减器,DC - 8 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC电压可变衰减器,5 - 26.5 GHz
推荐新设计使用
50 GHz 至 95 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、宽带低噪声放大器
推荐新设计使用
2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHz
推荐新设计使用
9 GHz至10 GHz,X频段、GaAs、MMIC、低噪声转换器
推荐新设计使用
71 GHz至86 GHz,E频段低噪声放大器
推荐新设计使用
2 GHz至6 GHz,45 dBm功率放大器
量产
GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,DC - 22 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz
推荐新设计使用
GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器,27.3 - 33.5 GHz
推荐新设计使用
>10 W、0.01 GHz至2.8 GHz、GaN功率放大器
量产
GaAs pHEMT MMIC功率放大器,DC - 28 GHz
推荐新设计使用
带有观察路径的集成双射频收发器
推荐新设计使用
6 GHz至26 GHz宽带I/Q混频器
推荐新设计使用
带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关
推荐新设计使用
串行控制、高压防闩锁型四通道SPST开关
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
3.0 V 至 5.5 V、具 ±12 kV IEC ESD 保护的 50 Mbps RS-485 收发器
推荐新设计使用
4级EMC保护RS-485收发器,提供全面的±42 V故障保护
推荐新设计使用
3.0 V至5.5 V VIO、±12 kV IEC ESD保护、50 Mbps RS-485收发器
推荐新设计使用
30 V, 8 MHz, Low Bias Current, Single-Supply, RRO, Precision Quad Op Amp
推荐新设计使用
30V、8 MHz、低偏置电流、单电源、轨到轨输出(RRO)、精密运算放大器
推荐新设计使用
Dual, 16-Bit, 12.6 GSPS RF DAC with Channelizers
推荐新设计使用
16通道、12位电压输出denseDAC
推荐新设计使用
IEEE1588 Version 2 and 1 pps Synchronizer and Adaptive Clock Translator
推荐新设计使用
16通道DAS,内置16位、双极性输入、双路同步采样并行接口ADC
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、差分 SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 1 MSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 500 kSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
RF 分集和 1.2GHz BW 观察接收器
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、伪差分 SAR ADC
推荐新设计使用
16位、2 MSPS、精密SAR、差分ADC
推荐新设计使用
8 通道锂离子电池监控系统
推荐新设计使用
20位、2 MSPS精密SAR差分ADC
推荐新设计使用
16位、500 ksps、集成数据采集子系统,采用LGA封装
推荐新设计使用
14 位、3GSPS、JESD204B、双通道模数转换器
推荐新设计使用
集成电能质量分析的高性能三相电能计量AFE
推荐新设计使用
16位、1 MSPS、集成数据采集子系统,采用LGA封装
推荐新设计使用
集成感性升压LED和三个LDO调节器的高级电池管理PMIC
推荐新设计使用
4 A、低VIN、低噪声、CMOS线性稳压器
推荐新设计使用
5 A、低VIN、低噪声、CMOS线性稳压器
推荐新设计使用
集成四通道低噪声降压调节器的电源解决方案
推荐新设计使用
-500 mA、超低噪声、高PSRR、低压差线性稳压器
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器支持从机操作
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器作为端点支持从机操作
推荐新设计使用
High Fidelity, Low Power, Integrated Stereo Audio Amplifier
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器同时支持主机和从机操作
MEMS (11)
X+
推荐新设计使用
带数字输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴MEMS加速度计
推荐新设计使用
带模拟输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴MEMS加速度计
推荐新设计使用
微功耗、3轴、±200 g数字输出MEMS
推荐新设计使用
低噪声、高频 +/-100g MEMS 加速度计
推荐新设计使用
低噪声、高频 +/-50g MEMS 加速度计
推荐新设计使用
7自由度惯性传感器
推荐新设计使用
侧翻检测层内陀螺仪
推荐新设计使用
60 g 到 480 g 双轴 SPI 和 PSI5 传感器
推荐新设计使用
带模拟输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴加速度计
推荐新设计使用
战术级、6自由度惯性传感器
推荐新设计使用
带数字输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴加速度计
推荐新设计使用
50 μA,2 mm × 1.7 mm WLCSP,低噪声,心率监护仪,适用于可穿戴产品
推荐新设计使用
集成式AMR角度传感器和信号调理器
推荐新设计使用
超紧凑3 A热电冷却器(TEC)控制器
推荐新设计使用
集成SPI的光度测量前端
推荐新设计使用
集成I22C的光度测量前端
推荐新设计使用
集成一个输出和SPI的光度测量前端
推荐新设计使用
集成电源管理和128Kb嵌入式闪存的超低功耗ARM Cortex-M3 MCU
推荐新设计使用
单核SHARC+(带384KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
双核SHARC+(带768KB L1)、ARM Cortex-A5、1MB共用的L2、DDR、千兆以太网、USB、SDIO、400-cspBGA
推荐新设计使用
集成单通道Σ-Δ型ADC和ARM Cortex-M3的低功耗精密模拟微控制器
推荐新设计使用
集成双通道Σ-Δ型ADC和ARM Cortex-M3的低功耗精密模拟微控制器
推荐新设计使用
双核SHARC+ DSP(带768KB L1)、1MB共用的L2、DDR、400-cspBGA
推荐新设计使用
集成电源管理和256Kb嵌入式闪存的超低功耗ARM Cortex-M3 MCU
推荐新设计使用
0.3 GHz 到 6 GHz、35 W、GaN 功率放大器
推荐新设计使用
450 MHz 到 2800 MHz,具有集成式小数分频 PLL 和 VCO 的 DPD RFIC
推荐新设计使用
0.1 GHz至6 GHz硅SP5T开关
推荐新设计使用
4 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器,5.5 GHz至8.5 GHz
推荐新设计使用
1 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器,27 GHz至32 GHz
推荐新设计使用
毫米波接收器,57 GHz - 64 GHz
推荐新设计使用
60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz
量产
GaAs MMIC SMT电压可变衰减器,DC - 8 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 14 GHz
量产
GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 20 GHz
推荐新设计使用
1 dB LSB GaAs MMIC 5位数字正控制衰减器,DC - 3 GHz
量产
GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 14 GHz
量产
GaAs MMIC SPDT非反射式开关,DC - 20 GHz
量产
0.5 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz
量产
0.5 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 30 GHz
推荐新设计使用
3 dB LSB GaAs MMIC 4位数字衰减器,DC - 10 GHz
量产
1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC电压可变衰减器,5 - 26.5 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC 10 W T/R开关DC至4 GHz
量产
1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 40 GHz
推荐新设计使用
0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器
推荐新设计使用
0.1 GHz至40 GHz SPST开关
推荐新设计使用
50 GHz 至 95 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、宽带低噪声放大器
推荐新设计使用
2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器
推荐新设计使用
GaAs MMIC I/Q下变频器37 - 44 GHz
量产
GaAs MMIC低噪声放大器,3.5 - 8.0 GHz
量产
GaAs MMIC电压可变衰减器,DC - 18 GHz
量产
GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至10 GHz
推荐新设计使用
高隔离度、硅SP4T、非反射开关,9 kHz至12.0 GHz
推荐新设计使用
2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器
推荐新设计使用
9 GHz至10 GHz,X频段、GaAs、MMIC、低噪声转换器
推荐新设计使用
71 GHz至86 GHz,E频段低噪声放大器
推荐新设计使用
2 GHz至6 GHz,45 dBm功率放大器
推荐新设计使用
2 GHz至18 GHz限幅放大器模块
推荐新设计使用
高压、小数N/整数N分频PLL频率合成器
量产
集成功率检波器的33 GHz至40 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器
推荐新设计使用
DC至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器
推荐新设计使用
2 GHz至30 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
量产
0.01 GHz至10 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
量产
GaAs pHEMT MMIC 1 W功率放大器,DC - 22 GHz
推荐新设计使用
10 W GaN功率放大器,2.7 GHz至3.8 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC基波混频器,3 - 11 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC可变电压衰减器,5 - 30 GHz
推荐新设计使用
6 GHz至10 GHz、GaAs、MMIC、I/Q混频器
推荐新设计使用
GaAs pHEMT MMIC 低噪声放大器,4.8 - 6.0 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC SPDT反射开关,0.1 - 50 GHz
推荐新设计使用
0.25dB LSB、7位硅数字衰减器,0.1 GHz至6.0 GHz
推荐新设计使用
GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器,27.3 - 33.5 GHz
推荐新设计使用
0.01 GHz至20 GHz超宽带功率放大器模块
推荐新设计使用
>10 W、0.01 GHz至2.8 GHz、GaN功率放大器
推荐新设计使用
100 MHz至30 GHz硅SPDT开关
推荐新设计使用
9 kHz至30 GHz、硅SPDT开关
量产
GaAs pHEMT MMIC功率放大器,DC - 28 GHz
推荐新设计使用
GaAs MMIC基波混频器,5.5 - 14.0 GHz
推荐新设计使用
GaAs pHEMT MMIC 0.25 W功率放大器,DC - 40 GHz
推荐新设计使用
2 GHz至6 GHz、25 W功率放大器模块
推荐新设计使用
0.7 GHz至3.5 GHz高功率、44 W峰值、硅SPDT、反射式开关
推荐新设计使用
RF捷变收发器
推荐新设计使用
集成VCO的6.8 GHz宽带频率合成器
推荐新设计使用
带有观察路径的集成双射频收发器
推荐新设计使用
带观测路径功能的集成式双通道RF收发器
推荐新设计使用
6 GHz至26 GHz宽带I/Q混频器
推荐新设计使用
串行控制、1.5 Ω导通电阻高电压、iCMOS、四通道SPST开关
推荐新设计使用
高温(高达210°C)、低电压8通道多路复用器
推荐新设计使用
高温(高达210°C)、高电压、防闩锁型、8通道多路复用器
推荐新设计使用
带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关
推荐新设计使用
串行控制、高压防闩锁型四通道SPST开关
推荐新设计使用
集成驱动器的DC至14 GHz、单刀四掷MEMS开关
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
输出为 2 A 的隔离式高精度栅极驱动器
推荐新设计使用
集成内部米勒箝位的高压、隔离式栅极驱动器,具有热关断功能的2 A输出
推荐新设计使用
可靠的 3.0 kV rms 五信道数字隔离器,带故障安全功能和 0 个反向信道
推荐新设计使用
可靠的 3.0 kV rms 五信道数字隔离器,带故障安全功能和 1 个反向信道
推荐新设计使用
可靠的 3.0 kV rms 五信道数字隔离器,带故障安全功能和 2 个反向信道
推荐新设计使用
集成故障安全和0个反向通道的鲁棒3.0 kV rms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和1个反向通道的鲁棒3.0 kV rms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和2个反向通道的鲁棒3.0 kV rms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
3.0 V 至 5.5 V、具 ±12 kV IEC ESD 保护的 50 Mbps RS-485 收发器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和1个反向通道的鲁棒3.75 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和0个反向通道的鲁棒2.5 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和2个反向通道的鲁棒3.75 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和2个反向通道的鲁棒2.5 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和1个反向通道的鲁棒2.5 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成DC/DC转换器和0个反向通道的鲁棒3.75 kV rms四通道隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和1个反向通道的鲁棒5.0 kVrms五通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和0个反向通道的鲁棒5.0 kVrms五通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和3个反向通道的鲁棒5.0 kVrms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和2个反向通道的鲁棒5.0 kVrms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和1个反向通道的鲁棒5.0 kVrms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
4级EMC保护RS-485收发器,提供全面的±42 V故障保护
推荐新设计使用
鲁棒的5 kV RMS隔离RS-485/RS-422收发器,提供4级EMC和完整±42 V保护
推荐新设计使用
集成内部米勒箝位的高压、隔离式栅极驱动器,2 A输出
推荐新设计使用
集成故障安全和0个反向通道的鲁棒5.0 kVrms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
集成故障安全和3个反向通道的鲁棒3.0 kV rms六通道数字隔离器
推荐新设计使用
3.0 V至5.5 V VIO、±12 kV IEC ESD保护、50 Mbps RS-485收发器
推荐新设计使用
30 V, 8 MHz, Low Bias Current, Single-Supply, RRO, Precision Quad Op Amp
推荐新设计使用
30V、8 MHz、低偏置电流、单电源、轨到轨输出(RRO)、精密运算放大器
推荐新设计使用
高压精密差动放大器
推荐新设计使用
Dual, 16-Bit, 12.6 GSPS RF DAC with Channelizers
推荐新设计使用
16通道、12位电压输出denseDAC
推荐新设计使用
IEEE1588 Version 2 and 1 pps Synchronizer and Adaptive Clock Translator
推荐新设计使用
16通道DAS,内置16位、双极性输入、双路同步采样并行接口ADC
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、差分 SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 1 MSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
18-Bit, 500 kSPS Precision, Differential SAR ADC
推荐新设计使用
RF 分集和 1.2GHz BW 观察接收器
推荐新设计使用
16 位、1 MSPS、精密、伪差分 SAR ADC
推荐新设计使用
16位、2 MSPS、精密SAR、差分ADC
推荐新设计使用
8 通道锂离子电池监控系统
推荐新设计使用
20位、2 MSPS精密SAR差分ADC
推荐新设计使用
4通道DAS,内置16位、双极性输入、同步采样ADC
推荐新设计使用
135 MHz四通道中频接收机
推荐新设计使用
高性能三相电能计量AFE
推荐新设计使用
16位、500 ksps、集成数据采集子系统,采用LGA封装
推荐新设计使用
16位、2 MSPS精密伪差分SAR ADC
推荐新设计使用
14 位、3GSPS、JESD204B、双通道模数转换器
推荐新设计使用
集成电能质量分析的高性能三相电能计量AFE
推荐新设计使用
16位、1 MSPS、集成数据采集子系统,采用LGA封装
推荐新设计使用
18位、2 MSPS精密SAR差分ADC
推荐新设计使用
14位、500 MSPS JESD204B、四通道模数转换器
推荐新设计使用
16通道DAS,内置16位、双极性输入、双路同步采样ADC
推荐新设计使用
集成MPPT、电荷管理功能和输出电压监控器的超低功耗能量采集PMU
推荐新设计使用
集成感性升压LED和三个LDO调节器的高级电池管理PMIC
推荐新设计使用
4 A、低VIN、低噪声、CMOS线性稳压器
推荐新设计使用
5 A、低VIN、低噪声、CMOS线性稳压器
推荐新设计使用
3 A、36 V、同步降压DC-DC稳压器
推荐新设计使用
-300 mA、超低噪声、高PSRR、低压差线性稳压器
推荐新设计使用
集成四通道低噪声降压调节器的电源解决方案
推荐新设计使用
-500 mA、超低噪声、高PSRR、低压差线性稳压器
推荐新设计使用
4 ADC、2 DAC低功耗编解码器,带音频处理器
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器支持从机操作
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器作为端点支持从机操作
推荐新设计使用
High Fidelity, Low Power, Integrated Stereo Audio Amplifier
推荐新设计使用
增强型汽车音频总线® (A2B®)收发器同时支持主机和从机操作