LT7930

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72V、可并联、四开关降压-升压控制器，适用于 GaN FET 和 Si MOSFET

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概述

  • 宽 VIN 电压范围：5V 至 72V
  • 单电感器架构可使 VIN 高于、低于或等于稳压 VOUT
  • 同步整流：效率高达 99%
  • 与氮化镓场效应晶体管和硅场效应晶体管兼容
  • 输出电压精度±1%：1V ≤ VOUT ≤ 70V
  • DCR 或 RSENSE 电流检测
  • 降压/升压/降压 - 升压模式下的峰值电流模式控制
  • 可编程输入或输出电流调节
  • 连续可编程死区时间（0ns 至 100ns）
  • 可锁相频率（150kHz 至 1MHz）
  • 多相/多 IC 并联运行
  • VIN 过压保护
  • 可选择连续或脉冲跳跃模式操作和电感器峰值限流值
  • 48 引脚，7mm × 7mm LFCSP 封装，带裸露焊盘，IPC-9592 高压间距符合要求
LT7930
72V、可并联、四开关降压-升压控制器，适用于 GaN FET 和 Si MOSFET
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EVAL-LT7930-AZ

72V、可并联、双相、四开关降压-升压控制器，带有 GaN FET

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产品详情

EVAL-LT7930-AZ 评估电路具有 LT7930 72V 可并联四开关降压-升压控制器，用于氮化镓 (GaN) 和硅 MOSFET。LT7930 是一款四开关降压-升压开关稳压器，可安全而轻松地在高于、低于或等于输出电压的情况下工作。恒定频率、峰值电流模式架构允许高达 1MHz 的锁相开关频率。可编程输入或输出电流环路调节平均输入或输出电流，使其适用于电池充电应用。此外，LT7930 具有 5V 至 72V 的宽输入和输出范围，并支持在工作区域之间的无缝低噪声变迁，是工业和电信系统的理想选择。

EVAL-LT7930-AZ 在 36V 至 65V 的输入电压范围内工作，可提供 48V 输出电压及高达 4kW 的输出功率。该板采用两个并联的 LT7930，以实现非常高的功率。并联操作的开关频率设置为 150kHz，从而产生高效的电路。相邻输出相移为 180° 偏移，从而交错切换，同时仍提供优化的均流。

LT7930 具有精密的基准电压源，可以在整个工作条件下产生具有 1% 容差的输出电压。LT7930 包含针对 5V 优化的栅极驱​​动器，用于驱动 GaN FET 或 Si NMOS FET。该控制器提供电阻可编程死区时间控制功能，可为 GaN FET 设置较短的死区时间，为 Si MOSFET 设置较长的死区时间，以最大限度地提高效率。在整个工作 VIN 范围内，该转换器在 3kW 输出功率下可实现 98% 以上的效率。

该控制器板可轻松修改，以便在 1V 至 70V 的范围内调节输出电压。它具有多相/多 IC 并行操作功能，以便为高功率应用进行修改。

EVAL-LT7930-AZ 可提供经济高效的解决方案来生成 48V 输出。LT7930 数据手册提供了该器件、其运行和应用信息的完整说明。该数据手册必须与 EVAL-LT7930-AZ 的本用户指南一起阅读。
EVAL-LT7930-AZ
72V、可并联、双相、四开关降压-升压控制器，带有 GaN FET
EVAL-LT7930-AZ Top Angle Evaluation Board EVAL-LT7930-AZ Top Evaluation Board EVAL-LT7930-AZ Bottom Evaluation Board

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