概览
优势和特点
- 为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
- 宽 VIN 范围：4 V 至 100 V
- 宽输出电压范围：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- 无需环流、箝位或阴极负载二极管
- 内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 经过内部优化，智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
- 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
- 精确可调驱动器电压和 UVLO
- 低工作 IQ：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT）
- 可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
- 可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
- 展频 (SSFM)
- 28 引脚 (4 mm × 5 mm) 侧面可湿性 QFN 封装
产品详情
LTC7891是一款高性能、降压DC/DC开关稳压器控制器，通过高达100 V的输入电压驱动所有N通道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7891解决了许多使用GaN FET时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7891简化了应用设计，无需保护二极管和其他附加外部组件。
内部智能自举开关可防止BOOST引脚至SW引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电，从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7891在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序，以实现智能近零死区时间，从而显著提升效率，甚至在高输入电压下也能实现高频运行。或者，用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。
LTC7891的栅极驱动电压可在4 V至5.5 V范围内精确调节以优化性能，并且可使用不同的GaN FET，甚至是逻辑电平MOSFET。
请注意，在整篇数据手册中，多功能引脚（如PLLIN/SPREAD）由整个引脚名称或引脚的单个功能表示；例如PLLIN即表示仅与此功能相关。
应用
- 工业电源系统
- 军事航空电子和医疗系统
- 电信电源系统
产品分类
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
DC2995A - Demo Manual (Rev. A)6/9/2022PDF767 K
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
LTC7891
设计资源
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