概览
优势和特点
- VOUT低至 0.4V
- 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器
- VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF
- 无需电流检测电阻器
- 低 VCC 电源：3V 至 8V
- 在整个温度范围内的最大占空比 >91%
- 驱动全 N 沟道外部 MOSFET
- 高效率：达 95%
- 可编程固定频率操作：100kHz 至 500kHz
- 外部时钟同步操作
- 可编程软启动
- 低停机电流：<10μA
- 过热保护
- 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装
产品详情
LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。
LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作，并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器，用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节，或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式中，LTC3831-1 的电源电流降至 <10μA。
| Feedback Voltage | Accuracy Over Temp | |
| LTC3831 | 1.25V | 1.5% |
| LTC3831-1 | 0.75V | 1.6% |
应用
- DDR SDRAM 终端
- SSTL_2、SSTL_3 接口
- 高速收发逻辑 (HSTL) 接口
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
LTC3831
设计资源
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PCN-PDN信息
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