概览

优势和特点

  • 为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
  • 宽 VIN 范围:4 V 至 100 V
  • 宽输出电压范围:0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
  • 无需环流、箝位或阴极负载二极管
  • 内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
  • 经过内部优化,智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
  • 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
  • 精确可调驱动器电压和 UVLO
  • 低工作 IQ:5 μA(48 VIN 至 5 VOUT
  • 可编程频率(100 kHz 至 3 MHz)
  • 可锁相频率(100 kHz 至 3 MHz)
  • 展频 (SSFM)
  • 28 引脚 (4 mm × 5 mm) 侧面可湿性 QFN 封装

产品详情

LTC7891是一款高性能、降压DC/DC开关稳压器控制器,通过高达100 V的输入电压驱动所有N通道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7891解决了许多使用GaN FET时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比,LTC7891简化了应用设计,无需保护二极管和其他附加外部组件。

内部智能自举开关可防止BOOST引脚至SW引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电,从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7891在内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序,以实现智能近零死区时间,从而显著提升效率,甚至在高输入电压下也能实现高频运行。或者,用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。

LTC7891的栅极驱动电压可在4 V至5.5 V范围内精确调节以优化性能,并且可使用不同的GaN FET,甚至是逻辑电平MOSFET。

请注意,在整篇数据手册中,多功能引脚(如PLLIN/SPREAD)由整个引脚名称或引脚的单个功能表示;例如PLLIN即表示仅与此功能相关。

应用

  • 工业电源系统
  • 军事航空电子和医疗系统
  • 电信电源系统

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

LTspice

LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器,为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。

LTspice

LTspice中提供以下器件型号:

LTC7891

设计资源

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