RFパワー・アンプ
アナログ・デバイセズのRFパワー・アンプは、kHz～95GHzのGaNおよびGaAs半導体技術に基づいています。ベア・ダイや表面実装部品に加え、アナログ・デバイセズのポートフォリオには、出力が1kWまでのGaNベースのパワー・アンプ・モジュールも含まれています。高出力での優れた直線性を実現するよう設計されたアナログ・デバイセズのRFパワー・アンプは、さまざまな有線および無線アプリケー
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ADH943AS
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Aerospace, >1.5 W (34 dBm), 24 GHz to 34 GHz Power Amplifier
ADPA1120
新規設計に推奨
4.5W（36.5dBm）、8GHz～12GHz、窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプ
ADPA1112
新規設計に推奨
1GHz～22GHz、15W、窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプ
ADH465S
新規設計に推奨
Aerospace, GaAs, pHEMT, MMIC, Distributed Driver Amplifier, DC to 20 GHz.
ADH383S
新規設計に推奨
Aerospace, GaAs, PHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier, 12 GHz to 30 GHz.
ADL8109
新規設計に推奨
高耐性、低ノイズ・アンプ、1GHz～20GHz
ADPA1116
新規設計に推奨
0.3GHz～6GHz、39.5dBm、GaNパワー・アンプ
ADPA9007-2
新規設計に推奨
DC～28GHz、GaAs、pHEMT、2Wパワー・アンプ
ADPA1113
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2GHz～6GHz、46dBm（40W）、窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプ
ADPA9007
新規設計に推奨
DC～28GHz、GaAs、pHEMT、2Wパワー・アンプ
関連資料
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