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特長
- 内部整合、0.3GHz~6GHz、39.5dBm、GaNパワー・アンプ
- RF入力およびRF出力をACカップリング
- 統合ドレインバイアスインダクタ
- 出力電力:0.5GHz~5GHzで39.5dBm(代表値)(PIN = 16.0dBm)
- パワー・ゲイン:0.5GHz~5GHzで23.5dB(代表値)(PIN = 16.0dBm)
- PAE:0.5GHz~5GHzで40%(代表値)(PIN = 16.0dBm)
- 小シグナル・ゲイン:0.5GHz~5GHzで33.5dB(代表値)
- 電源電圧:28V
- 静止電流:300mA
ADPA1116は、飽和出力電力(POUT)が39.5dBm、電力付加効率(PAE)が40%、入力電力(PIN)が16.0dBmのときに0.5GHz~5GHzで23.5dB(代表値)のパワー・ゲインを備えた0.3GHz~6GHzのパワー・アンプです。RF入力とRF出力は内部的にマッチングされ、AC結合されています。バイアス・インダクタを内蔵したVDD1ピンとVDD2ピンには、28Vのドレイン・バイアスが印加されます。ドレイン電流は、VGG1ピンに負の電圧を印加することによって設定されます。
ADPA1116は窒化ガリウム(GaN)プロセスで製造され、32ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ、プリモールド・キャビティ[LFCSP_CAV]に収められており、−40°C~+85°Cで動作するように仕様規定されています。
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利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADPA1116ACGZN | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) |
|
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ADPA1116ACGZN-R7 | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) |
|
- ADPA1116ACGZN
- ピン/パッケージ図
- 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- ADPA1116ACGZN-R7
- ピン/パッケージ図
- 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
EVAL-ADPA1116
ADPA1116(0.3GHz~6GHz、39.5dBm、GaNパワー・アンプ)の性能評価
製品の詳細
ADPA1116-EVALZは、アルミニウム・ヒート・スプレッダに取り付けられた10mil厚のRogers 4350B銅被覆で製造された2層プリント回路基板(PCB)です。ヒートスプレッダは、ADPA1116に熱を逃がし、PCBに機械的なサポートを提供します。ヒートスプレッダーの取り付け穴により、より大きなヒートシンクに取り付けることができ、熱管理が向上します。RFINおよびRFOUTポートは、SMA(Subminiature Version A)メス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを示します。ADPA1116-EVALZには、ADPA1116の動作温度範囲全体にわたって使用するのに適したコンポーネントが搭載されています。
RFトレースは50 Ω 接地コプレーナ導波路であり、パッケージの接地リードはグランド プレーンに直接接続されます。上部と下部のグランドプレーンを接続するために複数のビアが使用されます。パッケージ パドルの下の複数のビアにより、適切な電気伝導と熱伝導が確保されます。
図6に示す電源デカップリング コンデンサは、デバイスの特性評価に使用された構成を表しています。ADPA1116の詳細については、ADPA1116のデータシートを参照してください。ADPA1116-EVALZ評価用ボードを使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてADPA1116のデータシートも参照してください。
資料