RFアンプ | Analog Devices

RFアンプ

アナログ・デバイセズのRFアンプは、業界トップレベルのアンプとRF ICの専門知識を駆使して設計されており、お客様の次の設計の課題に応えます。アナログ・デバイセズのRFアンプは、低ノイズ・アンプ（LNA）から、GaN技術を含む高出力アンプまで、kHz～100GHzまで幅広く対応しています。帯域幅、効率、電力、直線性、低ノイズ、低位相ノイズなど、最も困難な性能要件を満たすために最適化さ

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RFアンプベースのフロント・エンド

アナログ・デバイセズは、旧世代のソリューションに比べ、圧倒的なサイズの優位性を提供するさまざまな集積フロント・エンドICを提供しています。これらのRFアンプ・ベースのフロント・エンドは、複数の機能を1 つの製品にまとめ、電気通信、レーダー、電子戦などのアプリケーションにおけるシグナル・チェーン全体を簡素化します。これらのソリューションのSWaPは、個別の機能ブロックによる代替と比較して大幅に削減されます。アプリケーションの1つは、フェーズド・アレイ・レーダー・アンテナの送受信フロント・エンドです。このようなソリューションでは、多くの場合パワー・アンプ、低ノイズ・アンプ、送信と受信を切り替えるスイッチを1つの製品にまとめ、全体としてよりシンプルなソリューションを実現します。

RFゲイン・ブロック

RFゲイン・ブロックは、産業用アプリケーション、無線インフラ、航空宇宙、防衛で使用されています。アナログ・デバイセズは、使いやすいように入力と出力で50Ωに内部整合されたRFゲイン・ブロックの大規模な製品ファミリを提供しています。これらのRFゲイン・ブロックは、さまざまな帯域幅とゲイン・レベルをカバーしながら、5dBmから約24dBmまでの出力パワーがあります。アナログ・デバイセズのすべてのゲイン・ブロックは、周波数、温度、電源電圧にわたって完全に規定されています。

RFパワー・アンプ

アナログ・デバイセズのRFパワー・アンプは、kHz～95GHzのGaNおよびGaAs半導体技術に基づいています。ベア・ダイや表面実装部品に加え、アナログ・デバイセズのポートフォリオには、出力が8kWを超えるGaNベースのパワー・アンプ・モジュールも含まれています。高出力での優れた直線性を実現するよう設計されたアナログ・デバイセズのRFパワー・アンプは、さまざまな有線および無線アプリケーション向けに、高温下でも良好な放熱性と高い信頼性を維持します。RFパワー・アンプの多くは数桁の帯域幅をカバーし、1つのICで計測機器や軍事用アプリケーションをサポートします。また、テレコミュニケーションや衛星通信リンクをサポートする狭帯域製品も数多くあります。豊富な品揃えにより、アプリケーションに適した製品を選ぶことができます。

RFロー・ノイズ・アンプ

アナログ・デバイセズの無線周波数ロー・ノイズ・アンプ（RF LNA）は、業界で最も低ノイズで高い直線性を提供します。多くの設計は自己バイアス・トポロジーを提供し、内部で50Ωに整合されています。テレコム、計測器、軍事／航空宇宙など幅広いアプリケーションで使用されています。すべてのアナログ・デバイセズのRF LNAは、周波数、温度、電源電圧にわたって完全に規定されています。

RF可変ゲイン・アンプ

アナログ・デバイセズの無線周波数可変ゲイン・アンプ（RF VGA）は、通信、計測、軍事設計に必要な高い性能を提供します。アナログ・デバイセズのRF VGAは、デジタル制御の多極アナログ・フィルタをオンチップに集積し、自動レベル制御のためのAGC回路も備え高集積です。

RF差動アンプ

アナログ・デバイセズのRF差動アンプは、高精度と高速の両方に対応するよう構成されています。RF差動アンプは、シングルエンド入力からコンプリメンタリ差動出力、または差動入力から差動出力のプロセスを可能にします。差動出力は、低電源で最大の信号を得るために、従来のアンプの2倍の出力信号を可能にします。