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特長
- 内部整合・ACカップリングされた40W GaNパワー・アンプ
- ドレイン・バイアス・インダクタを内蔵
- POUT：2.0GHz～5.7GHzで46.5dBm（代表値）（PIN = 21dBm）
- 小シグナル・ゲイン：2.3GHz～5.7GHzで40.5dB（代表値）
- パワー・ゲイン：2.0GHz～5.7GHzで25.5dB（代表値）（PIN = 21dBm）
- PAE：2.3GHz～5.7GHzで39%（代表値）
- VDD = 28V（IDQ = 750mA時）
- 銅モリブデン・ベースの14ピン・セラミック・リード・チップ・キャリア（LDCC）
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ADPA1113は窒化ガリウム（GaN）広帯域パワー・アンプで、2.3GHz～5.7GHzの帯域幅において39.0%の電力付加効率（PAE）で46.5dBm（44.7W）を供給します。フル・バンド動作の実現に外部マッチングやACカップリングは不要です。また、アンプにバイアスをかけるために外部インダクタは必要ありません。
ADPA1113は、防衛用電波妨害装置やレーダーといった連続波アプリケーションに最適です。
アプリケーション
- 防衛用電波妨害装置
- 民生用および防衛用レーダー
- 試験装置および計測装置
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よく聞かれる質問（FAQ）
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利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADPA1113AEJZ | CER LEADED CHIP CARRIER |
|
|
| ADPA1113AEJZ-50 | CER LEADED CHIP CARRIER |
|
- ADPA1113AEJZ
- ピン／パッケージ図
- CER LEADED CHIP CARRIER
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADPA1113AEJZ-50
- ピン／パッケージ図
- CER LEADED CHIP CARRIER
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
評価用キット 1
EVAL-ADPA1113
ADPA1113（2GHz～6GHz、46dBm（40W）、窒化ガリウム（GaN）パワー・アンプ）の性能評価
製品の詳細
ADPA1113-EVALZは、アルミ製ヒート・スプレッダに取り付けられた、厚さ10ミルのRogers 4350B、銅被覆を使用した2層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。ヒート・スプレッダはADPA1113の熱を効率的に放散すると共に、PCBを機械的に支持します。ヒート・スプレッダには取り付け穴があるので、温度管理に優れた、より大型のヒートシンクに取り付けることができます。RFINポートとRFOUTポートには2.92mmメス同軸コネクタが装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを示します。ADPA1113-EVALZには、ADPA1113の動作温度の全範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。
RFパターンは50Ωで接地されたコプレーナ導波路であり、パッケージのグラウンド・ピンはグラウンド・プレーンに直接接続します。上部と下部のグラウンド・プレーンが、複数のビアを使用して接続されます。パッケージのベースとインジウム箔シムは、適切な電気伝導と熱伝導を確保するために、0～80 × 3/16インチのステンレス鋼製ソケット・ヘッド・ネジ4本を使用してヒート・スプレッダに機械的に接続されます。
図5に示す電源デカップリング・コンデンサの構成は、このデバイスの特性評価に使用したものです。コンデンサの数を減らすことはできますが、その範囲はそれぞれのシステムによって異なることに注意してください。代わりに、このデバイスから最も遠い位置にある最大のコンデンサを最初に取り除くか、集約することを推奨します。
ADPA1113-EVALZ評価用ボードを使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてADPA1113のデータシートも参照してください。
ツールおよびシミュレーション 1
Sパラメータ 1
Sパラメータ