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ADPA1112
新規設計に推奨1GHz~22GHz、15W、窒化ガリウム(GaN)パワー・アンプ
- 製品モデル
- 8
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$724.07
製品の詳細
- 周波数範囲:1GHz~22GHz
- 50Ωに整合した入出力
- パワー・ゲイン:8GHz~16GHzで14dB(代表値)
- POUT:8GHz~16GHzで42dBm(代表値)
- PAE:8GHz~16GHzで25%(代表値)
- S21:8GHz~16GHzで20.5dB(代表値)
- OIP3:8GHz~16GHzで44dBm(代表値)
- RFパワー・ディテクタ内蔵
- VDD:28V
- IDQ:600mA
ADPA1112は、1GHz~22GHzで動作可能な広帯域パワー・アンプで、周波数範囲が8GHz~16GHz、入力電力(PIN)が28.0dBmの場合に、42dBmの飽和出力電力(POUT)、25%の電力付加効率(PAE)、14dBのパワー・ゲイン(それぞれ代表値)を実現します。RF入力とRF出力は内部整合され、AC結合されています。バイアス・インダクタを内蔵したVDD1ピンとVDD2ピンには、28Vのドレイン・バイアス電圧(VDD)が印加されます。ドレイン電流は、VGG1ピンに負の電圧を印加することによって設定されます。温度補償型RFディテクタが内蔵されており、RF出力電力のモニタリングが可能になっています。
ADPA1112は窒化ガリウム(GaN)プロセスで製造され、-40ºC~+85ºCで動作するように仕様規定されています。
アプリケーション
- 電子戦
- 試験装置および計測装置
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADPA1112AEHZ | CER LDLESS CHIP W/HEATSINK | ||
ADPA1112AEHZ-R7 | CER LDLESS CHIP W/HEATSINK | ||
ADPA1112AEJZ | 14-lead LDCC (9.8 mm x 12.6 mm x 1.64 mm) | ||
ADPA1112AEJZ-50 | 14-lead LDCC (9.8 mm x 12.6 mm x 1.64 mm) | ||
ADPA1112AEJZ-R7 | 14-lead LDCC (9.8 mm x 12.6 mm x 1.64 mm) | ||
ADPA1112CHIP | CHIPS OR DIE | ||
ADPA1112CHIP-SX | CHIPS OR DIE | ||
ADPA1112XEHZ | CER LDLESS CHIP W/HEATSINK |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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