LTC7893
推荐用于新设计100V 低 IQ ，适用于GaN FET 的同步升压型控制器
- 产品模型
- 4
概述
- 针对 GaN FET 全面优化的 GaN 驱动技术
- 输出电压高达 100V
- 宽 VIN 范围：4V 至 60V，启动后工作电压低至 1V
- 无需环流、箝位或阴极负载二极管
- 内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 电阻可调死区时间
- 可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
- 精确可调的驱动器电压和 UVLO
- 低操作 I Q：15μA
- 可编程频率（100kHz 至 3MHz）
- 可同步频率（100kHz 至 3MHz）
- 展频 (SSFM)
- 28 引线（4mm ×5mm）、侧面可润湿、QFN 封装
- 通过 AEC-Q100 汽车应用认证
LTC®7893 是一款高性能、升压、DC-DC 开关稳压器控制器，可用高达 100V 的输出电压驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7893 解决了使用 GaN FET 时传统上面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，LTC7893 简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部元件。
内部智能自举开关可防止死区时间内 BOOST 引脚至 SW 引脚高端驱动器电源过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。可以选择性地利用外部电阻器优化 LTC7893 的死区时间，以获得裕度或定制应用以提高效率并允许高频操作。
LTC7893 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 之间精确调整以优化性能，并允许使用不同的 GaN FET，甚至是逻辑电平 MOSFET。当由升压转换器稳压器输出偏置时，LTC7893 在启动后可采用低至 1V 的输入电源供电运作。
- 汽车和工业电源系统
- 军用航空电子和医疗系统
- 通信电源系统
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
技术文章 1
模拟对话 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| LTC7893AUFDM#PBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
| LTC7893AUFDM#TRPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
| LTC7893AUFDM#WPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) | ||
| LTC7893AUFDM#WTRPBF | 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) |
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