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特性
- 宽带RF输入频率范围：24 GHz至44 GHz
- 2种下变频模式
- 从RF至基带I/Q直接变频
- 镜像抑制下变频为复中频
- LO输入频率范围：5.4 GHz至10.25 GHz
- LO四倍频器较高可达41 GHz
- 匹配50 Ω、单端RF输入和复中频输出
- 匹配100 Ω平衡或50 Ω单端LO输入之间的选项
- 具有可调输出共模电压电平的100 Ω平衡基带I/Q输出阻抗
- 镜像抑制优化
- 用于设置混频器输入功率的平方律功率检波器
- 用于接收器功率控制的可变衰减器
- 可通过四线式SPI接口编程
- 32引脚、5 mm × 5 mm LGA封装
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ADMV1014是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波下变频器，针对点到点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为24 GHz至44 GHz。
该下变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从正交解调直接变频为基带IQ输出信号，并从镜像抑制下变频为复中频输出载波频率。基带输出可采用直流耦合，或更典型的是，IQ输出将使用足够低的高通转折频率进行交流耦合，以确保充足的解调精度。SPI接口可对正交相位进行微调，使用户能够优化IQ解调性能。另一方面，可以禁用基带IQ输出，且I/Q信号可通过片内有源巴伦提供两个单端复中频输出（800至6000MHz）。用作镜像抑制下变频器时，不需要的镜像项通常会被抑制，比所需边带低25dBc。ADMV1014提供灵活的LO系统，包括LO输入频率范围高达47 GHz的频率四倍选项，以覆盖24至44GHz的RF输入范围。提供平方律功率检波器，以便监控混频器输入端上的功率电平。检波器输出可用于通过外部运算放大器误差积分器电路选项提供对RF输入可变衰减器的闭环控制。
ADMV1014下变频器采用紧凑的散热增强型、5 mm × 5 mm倒装芯片CSP封装。ADMV1014工作壳温范围为−40°C至+85°C。
应用
- 点对点微波无线电
- 雷达、电子战系统
- 仪器仪表、自动测试设备(ATE)
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ADMV1014
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参考资料
解决方案设计及宣传手册 1
器件驱动器 2
产品选型指南 1
Thought Leadership Page 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADMV1014ACCZ |
32-Lead LGA (5mm x 5mm)
|
|
|
| ADMV1014ACCZ-R7 |
32-Lead LGA (5mm x 5mm)
|
|
- ADMV1014ACCZ
- 引脚/封装图-中文版
-
32-Lead LGA (5mm x 5mm)
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADMV1014ACCZ-R7
- 引脚/封装图-中文版
-
32-Lead LGA (5mm x 5mm)
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
软件和型号相关生态系统
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 | ||
|---|---|---|---|---|
|
LDO 线性稳压器1 |
||||
|
推荐新设计使用 |
20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器 |
|||
|
LDO+1 |
||||
|
推荐新设计使用 |
20V、200mA、超低噪声、超高 PSRR RF 线性稳压器 |
|||
|
标准高速模数转换器1 |
||||
|
推荐新设计使用 |
14 位、3GSPS、JESD204B、双通道模数转换器 |
|||
|
单通道电压输出数模转换器1 |
||||
|
量产 |
2.7 V至5.5 V、<100 µA、8位nanoDAC®，集成SPI接口，采用LFCSP和SC70封装 |
|||
|
微波和毫米波Tx/Rx2 |
||||
|
推荐新设计使用 |
800 MHz - 4000 MHz中频接收器 |
|||
|
推荐新设计使用 |
800 MHz - 4000 MHz中频发射器 |
|||
|
小数N分频PLL6 |
||||
|
推荐新设计使用 |
带集成 VCO 的微波宽带频率合成器 |
|||
|
推荐新设计使用 |
带集成 VCO 的微波宽带合成器 |
|||
|
过期 |
带集成 VCO 的微波宽带频率合成器 |
|||
|
最后购买期限 |
8 GHz 19位小数N分频PLL |
|||
|
推荐新设计使用 |
集成 VCO 的微波宽带合成器 |
|||
|
推荐新设计使用 |
集成VCO的微波宽带频率合成器 |
|||
|
正线性稳压器(LDO)3 |
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|
推荐新设计使用 |
6.5 V、2 A、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO |
|||
|
推荐新设计使用 |
6.5 V、500 mA、超低噪声、高 PSRR、快速瞬态响应 CMOS LDO |
|||
|
推荐新设计使用 |
20 V、300 mA低噪声CMOS LDO |
|||
| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
|
推荐新设计使用 |
24 GHz至44 GHz、宽带微波上变频器 |
评估套件 1
EVAL-ADMV1014
ADMV1014 评估板
产品详情
ADMV1014 是一款采用硅锗(SiGe)设计的宽带、微波下变频器，针对点到点微波无线电设计进行优化，工作频率范围为 24.5 GHz 至 43.5 GHz。
该下变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从正交解调直接变频为基带 IQ 输出信号，并从镜像抑制下变频为复中频输出载波频率。基带输出可采用直流耦合，或更典型的是，IQ 输出将使用足够低的高通转折频率进行交流耦合，以确保充足的解调精度。SPI 接口可对正交相位进行微调，使用户能够优化 IQ 解调性能。另一方面，可以禁用基带 IQ 输出，且 I/Q 信号可通过片内有源巴伦提供两个单端复中频输出（800 至 6000MHz）。用作镜像抑制下变频器时，不需要的镜像项通常会被抑制，比所需边带低 25dBc。ADMV1014 提供灵活的 LO 系统，包括 LO 输入频率范围最高达 47 GHz 的频率四倍选项，以覆盖 24.5 至 43.5GHz 的 RF 输入范围。提供平方律功率检波器，以便监控混频器输入端上的功率电平。检波器输出可用于通过片内集成的 AGC 环路提供对RF输入可变衰减器的闭环控制，或者作为一个选项，可以使用外部运算放大器误差积分器电路。
ADMV1014 下变频器采用紧凑的散热增强型、5 mm × 5 mm 倒装芯片 CSP 封装。ADMV1014 工作壳温范围为 −40°C 至 +85°C。
ADMV1014-EVALZ评估板集成了带微控制器的ADMV1014、低压差(LDO)稳压器和nanoDAC®以便快速轻松地评估ADMV1014。该微控制器允许用户通过分析、控制、评估(ACE)软件配置ADMV1014寄存器映射。LDO稳压器使ADMV1014能够采用单电源供电并提供最佳电源纹波抑制性能。通过nanoDAC，用户可以对进入ADMV1014混频器的RF功率进行衰减，而无需使用外部电源。
有关 ADMV1014 的完整详情可参见 ADMV1014 数据手册，使用评估板时应同时参考 ADMV1014-EVALZ 评估板用户指南与数据手册。
资料
软件
ZIP
71.36 K
ZIP
5.55 M
ZIP
314.11 K
S-参数