ADGM1121
推荐新设计使用0 Hz/DC 至 18 GHz,DPDT MEMS 开关
- 产品模型
- 3
产品详情
- 频率范围为直流至 18 GHz
- 高达 64 Gbps 的高比特率能力
- 低插入损耗:
- 8 GHz 时为 0.5 dB(典型值)
- 16 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
- 高输入 IIP3:73 dBm(典型值)
- 高 RF 功率处理能力:33 dBm(最大值)
- 导通电阻:1.9 Ω(典型值)
- 高直流电流处理能力:200 mA
- 高开关周期数:1 亿次循环(最少值)
- 快速开关时间:200 μs TON(典型值)
- 集成 3.3 V 驱动器,可通过并行接口和 SPI 进行简单控制
- 紧凑型集成无源元件,包括去耦和分流电阻器
- 小 5 mm × 4 mm × 1 mm,24 引脚塑料封装
- 温度范围:−40°C 至 +85°C
ADGM1121 是一款宽带双刀双掷 (DPDT) 开关,使用 ADI 公司的微机电系统 (MEMS) 开关技术制造。该技术可实现小尺寸、宽射频带宽、高线性和低插入损耗开关,工作频率低至 0 Hz/DC,使其成为满足各种射频和精密设备开关需求的理想解决方案。
集成驱动器芯片会产生高电压,从而以静电方式驱动可以由并行接口和串行外设接口 (SPI) 控制的开关。所有开关都是独立可控的。
该套件采用 24 引脚、5 mm × 4 mm × 1 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装。为确保 ADGM1121 以最佳方式工作,请参见数据手册中的“关键运行要求”部分。
ADGM1121 的导通电阻 (RON) 性能受零件间差异、通道间差异、周期驱动、导通后建立时间、偏置电压和温度变化的影响。
应用
- ATE 负载和探针板
- 具有高速环回测试功能的直流
- 高速 SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
- 继电器替代方案
- 可重新配置滤波器/衰减器
- 军用和微波无线电
- 蜂窝基础设施:5G mm 波
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADGM1121BCCZ | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
ADGM1121BCCZ-R2 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] | ||
ADGM1121BCCZ-RL7 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
这是最新版本的数据手册
硬件生态系统
部分模型 | 产品周期 | 描述 |
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LDO+ 1 | ||
LT3042 | 推荐新设计使用 | 20V、200mA、超低噪声、超高 PSRR RF 线性稳压器 |
MEMS开关 3 | ||
ADGM1144 | 推荐新设计使用 | 0 Hz/DC至18 GHz、SP4T、MEMS开关 |
ADGM1304 | 推荐新设计使用 |
具有集成驱动器的 0 Hz/直流至 14 GHz 单刀四掷 MEMS 交换芯片 |
ADGM1004 | 推荐新设计使用 |
带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关 |
器件电源(DPS)和参数测量单元(PMU)ATE 1 | ||
AD5522 | 量产 | 集成16位电平设置DAC的四参数测量单元 |
正线性稳压器(LDO) 6 | ||
ADP150 | 量产 | 超低噪声、150 mA CMOS线性调节器 |
ADP7112 | 推荐新设计使用 | 20 V、200 mA低噪声CMOS LDO线性稳压器 |
ADP7118 | 推荐新设计使用 | 20 V、200 mA、低噪声、CMOS LDO线性稳压器 |
LT1962 | 推荐新设计使用 | 300mA、低噪声 、微功率 LDO 稳压器 |
ADP7142 | 推荐新设计使用 | 40 V、200 mA、低噪声、CMOS LDO线性稳压器 |
LT3045-1 | 推荐新设计使用 | 具 VIOC 控制功能的 20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器 |
工具及仿真模型
LTspice 1
LTspice中提供以下器件型号:
- ADGM1121
S-参数 1
IBIS 模型 1
LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器,为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。
评估套件
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