概览
优势和特点
- 减少外部元件数量并降低总成本
- 无肖特基同步操作
- 内部控制环路补偿
- 内部软启动
- 全陶瓷电容，超紧凑布局
- 减少DC-DC稳压器库存数量
- 宽输入电压范围：4.5V至36V
- 可调输出范围为0.9V至VIN的89%
- 提供高达1A的负载电流
- 高效率
- 90%满载效率（VIN = 24V，VOUT = 5V，IOUT = 1A）
- 关断电流：2.2μA（典型值）
- PFM模式下，轻负载效率高(MAX17645D)
- 灵活的设计
- 可编程EN/UVLO阈值
- 单调启动至预偏置输出
- 用于输出状态监控的开漏输出（低电平有效复位）
- 稳定的工作性能
- 内置打嗝模式过载保护
- 过温保护
- 符合CISPR32 Class B规格
- -40°C至+125°C宽环境工作温度范围，-40°C至+150°C结温
产品详情
MAX17645是一款高效率、高电压、同步降压型DC-DC转换器，集成MOSFET，支持4.5V至36V输入工作范围。它可提供高达1A的负载电流。MAX17645可在650kHz开关频率下工作。MAX17645B在所有负载下都支持脉宽调制(PWM)工作模式。MAX17645D在轻负载下支持脉冲频率调制(PFM)工作模式。输出电压可编程范围为0.9V至VIN的89%。内置控制环路补偿适用于整个输出电压范围，因此无需外部补偿元件。-40°C至+125°C范围内的反馈电压调节精度为±1.1%。
该器件采用峰值电流模式控制架构。采用该架构，并在PWM模式下运行时，该器件使用跨导误差放大器、PWM比较器、高侧电流检测放大器和斜率补偿发生器来设置占空比。在时钟的每个上升沿，高侧MOSFET会导通并保持导通状态，直到达到适当或最大占空比，或者检测到峰值限流值。在高侧MOSFET导通期间，电感电流出现斜升。在开关周期的剩余时间，高侧MOSFET保持关断，低侧MOSFET保持导通，电感电流逐渐下降。在高侧和低侧状态转换之间实施适当的死区时间以避免交叉导通。
固定软启动时间为3.15ms（典型值），有助于用户降低输入冲击电流。该器件还具有使能/欠压保护引脚(EN/UVLO)，允许用户在所需的输入电压电平下开启器件。开漏低电平有效RESET功能可在成功完成输出电压调节后向系统提供电源良好信号。
应用
- 工厂自动化
- 售后市场自动化
- 通用负载点
产品分类
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (2)
参考资料
工具及仿真模型
EE-Sim®电源工具
EE-Sim DC-DC转换器工具可根据您的要求快速创建完整的电源设计，包括原理图、BOM（采用市售部件）、时域和频域仿真。您可以下载自定义原理图，在独立EE-Sim OASIS仿真器中进一步分析，其中采用SIMPLIS和SIMetrix SPICE引擎。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| MAX17645BATA+ | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Dual Flatpack No Leads | |
| MAX17645BATA+T | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Dual Flatpack No Leads | |
| MAX17645DATA+ | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Dual Flatpack No Leads | |
| MAX17645DATA+T | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Dual Flatpack No Leads | |
| Wafer Fabrication Data |
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