MAX17645
推荐新设计使用4.5V至36V、1A、高效率、同步降压DC-DC转换器
集成MOSFET的高效率、高电压、同步降压DC-DC转换器
- 产品模型
- 4
产品详情
- 减少外部元件数量并降低总成本
- 无肖特基同步操作
- 内部控制环路补偿
- 内部软启动
- 全陶瓷电容,超紧凑布局
- 减少DC-DC稳压器库存数量
- 宽输入电压范围:4.5V至36V
- 可调输出范围为0.9V至VIN的89%
- 提供高达1A的负载电流
- 高效率
- 90%满载效率(VIN = 24V,VOUT = 5V,IOUT = 1A)
- 关断电流:2.2μA(典型值)
- PFM模式下,轻负载效率高(MAX17645D)
- 灵活的设计
- 可编程EN/UVLO阈值
- 单调启动至预偏置输出
- 用于输出状态监控的开漏输出(低电平有效复位)
- 稳定的工作性能
- 内置打嗝模式过载保护
- 过温保护
- 符合CISPR32 Class B规格
- -40°C至+125°C宽环境工作温度范围,-40°C至+150°C结温
MAX17645是一款高效率、高电压、同步降压型DC-DC转换器,集成MOSFET,支持4.5V至36V输入工作范围。它可提供高达1A的负载电流。MAX17645可在650kHz开关频率下工作。MAX17645B在所有负载下都支持脉宽调制(PWM)工作模式。MAX17645D在轻负载下支持脉冲频率调制(PFM)工作模式。输出电压可编程范围为0.9V至VIN的89%。内置控制环路补偿适用于整个输出电压范围,因此无需外部补偿元件。-40°C至+125°C范围内的反馈电压调节精度为±1.1%。
该器件采用峰值电流模式控制架构。采用该架构,并在PWM模式下运行时,该器件使用跨导误差放大器、PWM比较器、高侧电流检测放大器和斜率补偿发生器来设置占空比。在时钟的每个上升沿,高侧MOSFET会导通并保持导通状态,直到达到适当或最大占空比,或者检测到峰值限流值。在高侧MOSFET导通期间,电感电流出现斜升。在开关周期的剩余时间,高侧MOSFET保持关断,低侧MOSFET保持导通,电感电流逐渐下降。在高侧和低侧状态转换之间实施适当的死区时间以避免交叉导通。
固定软启动时间为3.15ms(典型值),有助于用户降低输入冲击电流。该器件还具有使能/欠压保护引脚(EN/UVLO),允许用户在所需的输入电压电平下开启器件。开漏低电平有效RESET功能可在成功完成输出电压调节后向系统提供电源良好信号。
应用
- 工厂自动化
- 售后市场自动化
- 通用负载点
参考资料
数据手册 1
视频 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
---|---|---|---|
MAX17645BATA+ | 8-LFCSP-2X2X0.75 | ||
MAX17645BATA+T | 8-LFCSP-2X2X0.75 | ||
MAX17645DATA+ | 8-LFCSP-2X2X0.75 | ||
MAX17645DATA+T | 8-LFCSP-2X2X0.75 |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
---|---|---|
未找到匹配项目 | ||
7月 5, 2023 - 2377 ASSEMBLY |
||
MAX17645BATA+ | 量产 | |
MAX17645BATA+T | 量产 | |
MAX17645DATA+ | 量产 | |
MAX17645DATA+T | 量产 |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
EE-Sim Power®工具 1
EE-Sim DC-DC转换器工具可根据您的要求快速创建完整的电源设计,包括原理图、BOM(采用市售部件)、时域和频域仿真。您可以下载自定义原理图,在独立EE-Sim OASIS仿真器中进一步分析,其中采用SIMPLIS和SIMetrix SPICE引擎。
立即开始EE-Sim评估套件
最新评论
需要发起讨论吗? 没有关于 max17645的相关讨论?是否需要发起讨论?
在论坛上发起讨论