LTC7892

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用于 GaN FET 的低 IQ、双路、双相同步升压控制器

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概述

  • 针对 GaN FET 全面优化的 GaN 驱动技术
  • 输出电压高达 100V
  • 宽 VIN 范围:4V 至 60V,启动后工作电压低至 1V
  • 无需环流、箝位或阴极负载二极管
  • 内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
  • 电阻可调死区时间
  • 可调开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
  • 精确可调的驱动器电压和 UVLO
  • 低操作 I Q:15μA
  • 可编程频率(100kHz 至 3MHz)
  • 可同步频率(100kHz 至 3MHz)
  • 展频(SSFM)
  • 40 引脚(6 mm × 6 mm)、侧面可湿性 QFN 封装
  • 通过 AEC-Q100 汽车应用认证

LTC®7892  是一款高性能双升压 DC-DC 开关稳压器控制器,可驱动所有 N 通道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级,输出电压高达 100V。LTC7892 解决了使用 GaN FET 时传统上面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比,LTC7892 简化了应用设计,同时不需要保护二极管和其他额外的外部组件。

内部智能自举开关可防止 BOOSTx 引脚在死区时间内给 SWx 引脚的高端驱动器电源过度充电,从而保护顶部 GaN FET 的栅极。可以选择性地利用外部电阻器优化 LTC7892 的死区时间,以获得裕度或定制应用以提高效率并允许高频操作。

LTC7892 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 之间精确调节,以优化性能并允许使用不同的 GaN FET 甚至逻辑级 MOSFET。当由升压转换器稳压器输出偏置时,LTC7892 在启动后可采用低至 1V 的输入电源供电运行。

应用

  • 汽车和工业电源系统
  • 军用航空电子和医疗系统
  • 电信电源系统

LTC7892
用于 GaN FET 的低 IQ、双路、双相同步升压控制器
LTC7892 Typical Application Circuit LTC7892 Typical Application Graph LTC7892 Pin Configuration
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评估套件

eval board
EVAL-LTC7892-BZ

带有 100V GaN FET 的高频升压控制器

产品详情

评估电路 EVAL-LTC7892-BZ 使用 LTC®7892。LTC7892 是一款 100V 升压同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 控制器,此应用进行了优化,采用可在 500kHz 下实现 9V–36V 的工作输入范围的 100V GaN FET。EVAL-LTC7892-BZ 经过专门设计,可通过内部优化的自举开关和自适应时间控制安全轻松地驱动高达 1.4kW 功率水平的 GaN FET。分流栅极驱动器支持轻松调整 FET 的开/关。此外,此 IC 还具有低 IQ、高达 3MHz 的可编程/可同步开关频率、扩频以及小型 40 引脚 (6mm x 6mm) 侧面可润湿 QFN 封装。这些特性允许各种应用,包括工业、军事、医疗和电信系统。

EVAL-LTC7892-BZ 在 9V 至 36V 输入电压范围内工作,可产生最大 48V、30A 输出。LTC7892 具有精密的基准电压源,可以在整个工作条件下产生具有 2% 容差的输出电压。EVAL-LTC7892-BZ 的开关频率为 500kHz,使得电路小巧而高效。在满载工作 VIN 时,该转换器可在 30A 负载下实现超过 98% 的效率,峰值效率接近 99%。

该控制器板可轻松修改,以便在 1.2V 至 90V. 的范围内调节输出电压。为了适应各种应用,可以使用各种尺寸相似的 FET。EVAL-LTC7892-BZ 可提供经济高效的解决方案,来生成 48V 输出。LTC7892 数据手册包括该套件、其运行和应用信息的完整说明。结合用户指南阅读本数据手册。

下面提供了此电路板的设计文件:www.analog.com。

EVAL-LTC7892-BZ
带有 100V GaN FET 的高频升压控制器
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