LT4422

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28V、4A 理想二极管

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概述

  • 内部 50mΩ电源路径 Ω
  • 宽工作电压范围：1.9V 至 28V
  • 反向电流保护
  • 低 10 μA 静态电流
  • 负载阶跃响应速度快至 3μs
  • 低至 500nA 关断状态下的电流
  • 二极管“或“应用中的平滑切换
  • 10 引脚 (3mm x 2mm x 0.75mm) LDFN 封装

LT ® 4422 是一款带有集成 P 通道 MOSFET 的理想 1.9V 至 28V 二极管器件。启用后，与肖特基二极管相比，15mV 正向电压调节可最大限度地降低功耗，同时提高操作空间和效率。

LT4422 可轻松地将电源“或”在一起，以提高系统可靠性，并防止反向传导。未使能的 LT4422 可在输出端阻断高达 28V 的电压，同时表现出小于 1μA (典型值) 的漏电流，比典型的肖特基二极管提供了数量级的改进，从而延长了电池寿命。

快速 OUT 至 IN 反向偏置检测可最大限度减少反向电流，防止输入电池的意外充电。当 LT4422 处于关断或反向偏置状态时，开漏 STATUS 输出拉低电平。
LT4422
28V、4A 理想二极管
LT4422 Simplified Application Circuit LT4422 Pin Configuration
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  • LT4422
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评估套件

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EVAL-LT4422-AZ

28V、4A 理想二极管

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产品详情

EVAL-LT4422-AZ 评估电路展示了 LT4422，这是一款集成 P 通道 MOSFET 的理想二极管。LT442 的设计旨在通过调节启用时的 15mV 正向电压来最大限度地降低功耗。其快速 OUT 至 IN 反向偏置检测可最大限度减少反向电流，以防止输入源的意外充电。该板具有两个独立的 LT4422 理想二极管，它们共用一个接地并在 1.9V 至 28V 的范围内工作。

在停机模式下，LT4422 具有小于 500nA (典型值) 的静态电流，以延长电池寿命。

提供了此电路板的设计文件。
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