LT4422

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28V、4A理想二极管

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概述

  • 内部50mΩ电源路径
  • 宽工作电压范围：1.9V至28V
  • 反向电流保护
  • 低静态电流：10μA
  • 快速负载阶跃响应：3μs
  • 低关断状态电流：500nA
  • 在二极管-OR应用中平滑切换
  • 10引脚（3mm×2mm×0.75mm）LDFN封装

The LT®4422 是一款集成P通道MOSFET的理想二极管，工作范围为1.9V至28V。与肖特基二极管相比，启用该二极管后，其15mV正向电压调节特性可大幅降低功耗，同时提高操作裕量和效率。

LT4422能够轻松实现多个电源的ORing功能，从而增加系统可靠性并防止反向导通。非工作状态下，LT4422可在输出端阻断高达28V的电压，而且漏电流小于1μA（典型值），性能比典型肖特基二极管提高了好几个数量级，可以有效延长电池寿命。

快速OUT至IN反向偏置检测可大幅减少反向电流，防止输入电池意外充电。当LT4422处于关断或反向偏置状态时，开漏STATUS输出会被拉低。
LT4422
28V、4A理想二极管
LT4422 Simplified Application Circuit LT4422 Pin Configuration
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EVAL-LT4422-AZ

28V, 4A Ideal Diode

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产品详情

The EVAL-LT4422-AZ evaluation circuit showcases the LT4422, an ideal diode with integrated P-channel MOSFETs. The LT442 is designed to minimize power dissipation by regulating a 15mV forward voltage when enabled. Its fast OUT to IN reverse bias detection minimizes reverse current to prevent unwanted charging of the input source. The board features two independent LT4422 ideal diodes that share a common ground and operate over a 1.9V to 28V range.

In shutdown mode, the LT4422 exhibits less than 500nA (typical) quiescent current to extend battery life.

Design files for this circuit board are available.
EVAL-LT4422-AZ
28V, 4A Ideal Diode
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