製品概要
機能と利点
- 低ノイズ指数：2.3dB
- 高P1dB出力パワー：+22dBm
- 高出力IP3：+38dBm
- ゲイン：13dB
- 50Ω I/O：外付けマッチングなし
- 業界標準のSOT89パッケージ
製品概要
HMC639ST89(E)は、0.2～4.0 GHzに対応するGaAs PHEMT高直線性、低ノイズ、広帯域のゲイン・ブロック・アンプです。業界標準のSOT89を採用し、カスケード接続に対応する50Ωゲイン段、PAプレドライバ、低ノイズアンプ、または最大+22dBmの出力パワーのゲイン・ブロックとして使用することができます。この汎用ゲイン・ブロック・アンプは、+5Vの単電源で動作し、外付けのマッチング部品は不要です。内部マッチング方式のこのアンプは、誘電率、厚さ、組成を問わず、ほぼあらゆるプリント回路基板の材質に適合します。
アプリケーション- セルラ/PCS/3G
- WiMAX、WiBro、固定無線
- CATV、ケーブル・モデム
- マイクロ波無線
- IFおよびRFセクション
製品ライフサイクル
新規設計にお薦めします
発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。
評価キット (1)
ドキュメント
データシート (1)
ツール
Sys-Parameters
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
参考資料
セレクション・ガイド (1)
Tape & Reel Specification (1)
設計リソース
ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well. "Zero defects" for shipped products is always our goal.
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