類似製品

製品概要

機能と利点

  • 無反射50Ω設計
  • 低挿入損失:8GHzで0.8dB
  • 高アイソレーション:8GHzで45dB
  • 高入力直線性
    • P1dB:39dBm
    • IP3:60dBm(代表値)
  • 大電力処理
    • 35dBm挿入損失パス
    • 27dBmホット・スイッチング
  • ESD定格:2kV(クラス2)HBM
  • 低周波数スプリアスなし
  • 0.05dB RF セトリング・タイム:375ns
  • 0.1dB RFセトリング・タイム:300ns
  • 16ピン、3mm × 3mm LFCSP
  • 低周波カットオフ・バージョン HMC1118 とのピン互換性

製品概要

ADRF5019は、シリコン・プロセスを使って製造した無反射単極双投(SPDT)RFスイッチです。

ADRF5019は、0.8dBの挿入損失および45dBのアイソレーション(8GHz時)より良好な状態で、100MHz~13GHzで動作します。ADRF5019は無反射設計で、RFポートは内部で50Ωに終端されています。

ADRF5019スイッチには、+3.3Vと−2.5Vの両電源電圧および正の制御電圧入力が必要です。このスイッチは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)互換および低電圧トランジスタ・トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を行います。

ADRF5019は、正の単電源電圧(VDD)を印加した状態でも動作します。負の電源電圧(VSS)はグラウンドに接続されます。ADRF5019は、単電源動作モードでも、100MHz〜13GHzの動作周波数をカバーでき、優れた電力処理性能を維持します。詳細については、アプリケーション情報のセクションを参照してください。

ADRF5019は、9kHz~13.0GHzで動作するHMC1118低周波カットオフ・バージョンとのピン互換性を備えています。

ADRF5019は、16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)で提供され、−40°C~+105°Cで動作します。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • マイクロ波無線および超小型地上局(VSAT)
  • 防衛用無線、レーダー、電子対抗手段(ECM)
  • 光ファイバおよび広帯域通信

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

S-Parameters

設計ツール

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設計リソース

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モデル一覧の項目説明

 

 

 

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