MAX6497
量产72V、过压保护开关/限幅控制器,外置MOSFET
- 产品模型
- 2
产品详情
- 高度集成和小型封装在保证系统可靠工作的同时节省电路板空间
- 3mm x 3mm TDFN封装
- 电源电压范围:+5.5V至+72V
- 过压时,栅极快速关断,支持100mA吸电流
- 内部电荷泵电路确保10V的栅-源电压,提供低导通RDS(ON)
- 支持串联pMOSFET,实现电池反接电压保护(MAX6496)
- POK指示器(MAX6497/MAX6498)
- 可调过压门限
- 可调欠压门限(MAX6499)
- 集成保护功能和宽温范围,提高可靠性
- 过压保护开关控制器允许用户选择最合适的外部nMOSFET
- 发生过压后,nMOSFET闭锁(MAX6497/MAX6499)
- 热关断保护
- 40°C至+125°C工作温度范围
- 通过AEC-Q100认证(MAX6495ATT/V+, MAX- 6496ATA/V+T,以及MAX6499ATA/V+ Only)
MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压,在出现输入过压时,控制外部n沟道MOSFET开关,隔离输出负载。MAX6495–MAX6499可工作在较宽的+5.5V至+72V供电电压范围内。
当监控输入低于用户设置的过压门限时,n沟道MOSFET栅极被驱动为高。集成的电荷泵电路提供一个10V栅极-源极电压,完全导通n沟道MOSFET。当输入电压超过用户设置的过压门限时,迅速拉低MOSFET的栅极,将负载与输入断开。在某些应用中,不希望将负载和输出断开。在这些情况下,保护电路可配置为电压限幅器,GATE输出齿波来限制负载电压(MAX6495/MAX6496/MAX6499)。
MAX6496支持较低的输入电压,通过外部串联p沟道MOSFET替换外部电池反接保护二极管来降低功率损耗。MAX6496产生合适的偏置电压,确保p沟道MOSFET在正常工作时打开导通。出现抛负载情况时,栅极-源极电压被嵌箝位,电池反接时p沟道MOSFET被关断。
MAX6497/MAX6498具有一个开漏、通用比较器,在输出低于设置门限时,可通知系统。MAX6497保持MOSFET开关闭锁,直至输入电源重新上电或者刷新/SHDN引脚为止。当VOVSET降至130mV以下时,MAX6498将会自动重启。
这些器件采用小尺寸、热增强的型6引脚和8引脚TDFN封装,工作在-40°C至+125°C温度范围。
应用
- 汽车
- FireWire®
- 工业
- 笔记本电脑
- 电信/服务器/网络
参考资料
数据手册 1
可靠性数据 1
技术文章 3
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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MAX6497ATA+ | Thin Dual Flatpack No Leads, Exposed Pad | ||
MAX6497ATA+T | Thin Dual Flatpack No Leads, Exposed Pad |
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