HMC998APM5E
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HMC998APM5E

GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器,DC - 22 GHz

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产品详情
特性
  • P1dB输出功率:+32 dBm
  • Psat输出功率:+34 dBm
  • 高增益:15 dB
  • 输出IP3:+42 dBm
  • 电源电压:Vdd = +15V (500 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 32引脚5×5 mm SMT封装:25 mm2
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HMC998APM5E是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器,工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供+15 dB增益、+42 dBm输出IP3和+32 dBm输出功率(1dB增益压缩),功耗仅为500mA(采用+15V电源)。HMC998APM5E在3至17 GHz范围内具有略正增益斜率,因而非常适合军事、太空和测试设备应用。HMC998APM5E放大器I/O内部匹配至50 Ω,采用符合RoHS标准的5x5 mm QFN无铅表贴封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 军事和太空
  • 光纤产品

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参考资料

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3月 19, 2021

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评估套件 1

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EVAL-HMC998APM5E

EV2HMC998APM5评估板,用于GaAs、pHEMT、MMIC、功率放大器,DC至22 GHz

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EVAL-HMC998APM5E

EV2HMC998APM5评估板,用于GaAs、pHEMT、MMIC、功率放大器,DC至22 GHz

EV2HMC998APM5评估板,用于GaAs、pHEMT、MMIC、功率放大器,DC至22 GHz

特性和优点

  • 双层Rogers 4350B评估板,配有散热器和宽带、表贴偏置器电路
  • 端接型、2.92 mm RF连接器
  • 直通校准路径

产品详情

EV2HMC998APM5由采用10 mil厚的Rogers 4350B铜箔制成的双层印刷电路板(PCB)组成,并安装在铝制散热器上。该散热器有助于器件散热并向PCB提供机械支持。散热器上的安装孔便于连接至散热器,从而改善热管理性能。RFIN和RFOUT端口配有2.9 mm插口同轴连接器,且其各自的RF走线具有50 Ω特征阻抗。

EV2HMC998APM5与EV1HMC998APM5在一个关键方面有所不同。EV1HMC998APM5需要在其RFOUT端口连接外部偏置器才能运行(有关更多详细信息,请参阅HMC998APM5E数据手册),而EV2HMC998APM5则包含一个板载表贴偏置器电路。该电路允许EV2HMC998APM5直接连接到RF测试设备,例如网络分析仪和频谱分析仪。该板载表贴偏置器电路的工作频率高达约22 GHz(见图3)。

EV2HMC998APM5配有在HMC998APM5E的整个工作温度范围内适用的组件。为校准评估板走线损耗,在J5和J6连接器之间提供了一个直通校准路径THRU-CAL。J5和J6必须安装2.92 mm RF连接器才能使用该直通校准路径。直通校准路径性能参见图4和表2。可以通过两个4引脚接头J3和J4来获取电源电压、接地电压、栅极控制电压和检测器输出电压(参见表1)。

RF走线为50 Ω接地共面波导走线。封装接地引线和裸露焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔用于连接顶部和底部接地平面,并特别集中于接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV2HMC998APM5上配置的去耦电容可用于测量电路性能,详情请参阅AN-2061。可以减少连接至ACG2、ACG3/ACG4、VGG1和VGG2引脚的电容器数量,但具体减少量因系统而异。需要减少电容器数量时,建议首先移除距离HMC998APM5E最远的最大电容。

有关HMC998APM5E的完整详细信息,请参阅HMC998APM5E数据手册,使用EV2HMC998APM5时,必须同时参阅该数据手册和本用户指南。

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