概览
优势和特点
- 4 A峰值驱动输出能力
- 输出功率器件电阻：<1 Ω
- 去饱和保护
- 隔离的去饱和故障报告
- 故障时软关断
- 带栅极检测输入的米勒箝位输出
- 隔离故障和就绪功能
- 低传输延迟：75 ns（典型值）
- 最小脉冲宽度：50 ns
- 工作温度范围：−40°C至+125°C
- 输出电压范围最高可达35 V
- 输入电压范围：2.5 V至6 V
- 输出和输入UVLO
- 爬电距离：8 mm（最小值）
- 100 kV/μs CMTI
- TBD V rms或TBD V直流工作电压时寿命可达20年
- 安全和法规认证（申请中）
- 1分钟TBD kV AC，符合UL 1577
- CSA元件验收通知5A
- DIN V VDE V 0884-11
- VIORM = 1500 V (TBD)峰值（强化/基本）
产品详情
ADuM4146是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4146包含米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的SiC单轨电源关断。输出侧可以由单电源或双电源供电，是否使能米勒箝位功能也可以进行配置。
ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4146上，提供高压短路SiC工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供300ns的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部500 μA电流源有助于降低器件数量，如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持使用外部电流源。
考虑到通用SiC电平，副边欠压闭锁(UVLO)设置为11.5 V。
应用
- SiC/MOSFET/IGBT 栅极驱动器PV逆变器
- 电机驱动器
- 电源
产品生命周期
预发布
本产品为新品，工程验证可能仍在进行中。我们正在准备量产，数量可能有限，设计规格可能会改变。
评估套件 (1)
参考资料
产品选型手册 (1)
解决方案通报和手册 (1)
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
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这里所列出的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的每片美元，美国离岸价），如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于特殊批量报价，请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。