概览

优势和特点

  • 11 A 短路拉电流(0 Ω 栅极电阻)
  • 9 A 短路灌电流(0 Ω 栅极电阻)
  • 4.61 A 峰值电流(2 Ω 栅极电阻)
  • 输出功率套件电阻:<1 Ω
  • 输出电压范围高达 30 V
  • VDD2 上存在多个欠压锁定 (UVLO) 选项
    • A 级:VDD2 上的 14.5 V(典型值)UVLO 正向阈值
    • B 级和 C 级:VDD2 上的 11.5 V(典型值)UVLO 正向阈值
  • VDD1 输入电压范围为 2.5 V 至 6 V
  • 去饱和保护
    • 发生去饱和故障时软关断
  • 多种去饱和检测比较器电压
    • B 级:9.2 V(典型值)
    • A 级和 C 级:3.5 V(典型值)
  • 具有栅极感应输入的米勒箝位输出
  • 隔离式故障和就绪功能
  • 低传播延迟:75 ns(典型值)
  • 工作温度范围:−40°C 至 +125°C
  • 爬电距离:8.3 mm(最小值)
  • CMTI:100 kV/μs
  • 安全和监管审批(申请中)
    • 5000 V rms 持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
    • CSA 元件验收通知 5A
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM = 2150 V 峰值

产品详情

ADuM4146 是一款已专门针对碳化硅 (SIC)、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动进行优化的单通道栅极驱动器。ADI 公司的 iCoupler® 技术在输入信号和输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4146 包含一个米勒箝位,当栅极电压下降到 2 V 以下时,只需一个单轨电源即可实现可靠的 SiC 关闭。不管是否在进行米勒箝位操作,使用单极或双极次级电源都工作。

ADI 公司的芯片级变压器还可在芯片的高电压域和低电压域之间实现隔离式控制信息通信。可以从专门的输出中回读有关芯片状态的信息。次级端发生故障后,在套件的初级端执行重置套件的控制。

ADuM4146 上集成了一个去饱和检测电路。该电路可提供针对 SiC 操作的高压短路保护。去饱和保护包含去噪声功能,如发生开关事件后有 300 ns 时域掩蔽,从而掩蔽由于初始开启而产生的电压尖峰(见数据手册中的图 17)。可选的内部 500 μ一种允许低套件计数的电流源,如果需要更强大的抗噪能力,则可以使用内部消隐开关增加外部电流源。

考虑到常见 SiC 和绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 电平,对于 A 级,次级欠压锁定 (UVLO) 设置为 14.5 V(典型值);对于 B 级和 C 级,则设置为 11.5 V(典型值)。

应用

  • SiC/MOSFET/IGBT 栅极驱动器
  • 光伏 (PV) 逆变器
  • 电机驱动器
  • 电源

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (2)

工具及仿真模型

IBIS模型

设计资源

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