概览

优势和特点

  • 11 A 短路拉电流(0 Ω 栅极电阻)
  • 9 A 短路灌电流(0 Ω 栅极电阻)
  • 4.61 A 峰值电流(2 Ω 栅极电阻)
  • 输出功率套件电阻:<1 Ω
  • 输出电压范围高达 30 V
  • VDD2 上存在多个欠压锁定 (UVLO) 选项
    • A 级:VDD2 上的 14.5 V(典型值)UVLO 正向阈值
    • B 级和 C 级:VDD2 上的 11.5 V(典型值)UVLO 正向阈值
  • VDD1 输入电压范围为 2.5 V 至 6 V
  • 去饱和保护
    • 发生去饱和故障时软关断
  • 多种去饱和检测比较器电压
    • B 级:9.2 V(典型值)
    • A 级和 C 级:3.5 V(典型值)
  • 具有栅极感应输入的米勒箝位输出
  • 隔离式故障和就绪功能
  • 低传播延迟:75 ns(典型值)
  • 工作温度范围:−40°C 至 +125°C
  • 爬电距离:8.3 mm(最小值)
  • CMTI:100 kV/μs
  • 安全和监管审批(申请中)
    • 5000 V rms 持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
    • CSA 元件验收通知 5A
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM = 2150 V 峰值

产品详情

ADuM4146是一款单通道栅极驱动器,专门针对驱动碳化硅(SiC)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4146包含米勒箝位,以便栅极电压小于2 V时实现稳健的SiC单轨电源关断。输出侧可以由单电源或双电源供电,是否使能米勒箝位功能也可以进行配置。

ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当器件副边出现故障时,可以在原边对复位操作进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4146上,提供高压短路SiC工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能,比如在开关动作之后提供300ns的屏蔽时间,用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰(参见数据手册中的图17)。可选内部500 μA电流源有助于降低器件数量;如需提高抗噪水平,内部消隐开关也支持使用外部电流源。

考虑到通用SiC和绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)电平,A级副边欠压闭锁(UVLO)设置为14.5 V,B级和C级设置为11.5 V(典型值)。

应用

  • SiC/MOSFET/IGBT栅极驱动器
  • 光伏(PV)逆变器
  • 电机驱动器
  • 电源

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (2)

工具及仿真模型

IBIS模型

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