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ADG1219:  iCMOS® SPDT、低容量、低チャージ・インジェクションのSOT-23を採用、±15 V/+12 V

製品詳細

製品状況:生産/供給中

ADG1219は、SPDTスイッチを内蔵するモノリシックiCMOS®デバイスです。EN入力は、デバイスをイネーブルまたはディスエーブルするときに使います。ディスエーブルされると、すべてのチャンネルはスイッチ・オフされます。各スイッチはオンのとき等しく両方向に導通し、電源電圧までの入力信号レンジが可能です。各スイッチは、ブレーク・ビフォー・メーク・スイッチング動作を行います。

iCMOS (工業用CMOS)モジュラー製造プロセスは、高電圧CMOS技術とバイポーラ技術とを組み合わせたものです。この技術は、他の高電圧では実現できなかったフットプリントで33 V動作が可能な広範囲な高性能アナログICの開発を可能にしました。iCMOSデバイスでは、従来型CMOSプロセスを採用したアナログICとは異なり、高電源電圧に耐えると同時に、性能強化、大幅な消費電力削減、パッケージの小型化が可能になりした。

これらのマルチプレクサは、極めて小さい容量とチャージ・インジェクションを持つため、低グリッチと高速セトリングを必要とするデータ・アクイジションとサンプル・アンド・ホールドのアプリケーションに最適なソリューションになっています。図 2 に示すように、デバイスの全信号範囲でチャージ・インジェクションが小さくなっています。また、iCMOS構造により消費電力が極めて尐ないため、携帯型機器とバッテリ駆動の計装機器に最適なデバイスになっています。

アプリケーション

  • 自動テスト装置
  • データ・アクイジッション・システム
  • バッテリ駆動のシステム
  • サンプル・アンド・ホールド・システム
  • オーディオ/ビデオ信号のルーティング
  • 通信システム
  • 特長と利点

    • フル信号範囲でのチャージ・インジェクション: 0.5 pC以下
    • オフ容量: 2.5 pF
    • 低リーク: 85℃で最大0.6 nA
    • オン抵抗: 120 Ω
    • 動作仕様: +12 V、±15 V
    • VL 動作仕様: +12 V、±15 V
    • 3 Vロジック互換入力
    • レールtoレール動作
    • 8ピンSOT-23パッケージを採用

    ADG1219機能ブロック図

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    タイトル コンテンツの種類 ファイル形式
    ADG1219: 低容量、低チャージ・インジェクションのSOT-23を採用した±15 V/+12 V iCMOS SPST (Rev 0, 04/2008) (pdf, 1051 kB)  データシート PDF
    ADG1219: Low Capacitance, Low Charge Injection, ±15 V/12 V iCMOS SPDT in SOT-23 Data Sheet (Rev A, 03/2009) (pdf, 691 kB)  データシート PDF
    AN-874: ADG12XXシリーズ・デバイスの±5V電源での動作と性能への影響  (pdf, 419 kB) アプリケーション・ノート PDF
    AN-874: Operating the ADG12xx Series of Parts with 5 V Supplies and the Impact on Performance  (pdf, 206 kB) アプリケーション・ノート PDF
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