Оконечная нагрузка шины памяти DDR/QDR

Источники питания и оконечные устройства шины памяти SRAM компании Analog Devices являются оптимальными вариантами для интерфейсов памяти DDR, QDR, логики SSTL и HSTL, которые применяются совместно с быстродейтсвующими ПЛИС и процессорами, а также другими современными портативными микропроцессорными системами, которые могут работать в оборудовании с высокой пропускной способностью, таком как PCIe, облачные системы, RAID, системы обработки видео и сетевое оборудование. Для питания памяти DDR и QDR необходимы три шины напряжения: напряжение питания шины (VDD), напряжение оконечной нагрузки шины (VTT) и опорное напряжение (VREF). Напряжение оконечной нагрузки шины (VTT) и опорное напряжение (VREF) должны быть равны половине напряжения питания шины (VDD), при этом для напряжения оконечной нагрузки шины (VTT) также требуется реализация функции источника и потребителя тока. Устройства нашего ассортимента продуктов для организации оконечной нагрузки шины памяти DDR/QDR позволяют удовлетворить все потребности в питании микропроцессоров i.MX, PXA, ARM, OMAP и других современных микропроцессоров, при этом они могут работать в топологиях импульсных стабилизаторов в режиме напряжения и в режиме тока, иметь очень низкие уровни входного напряжения и изменяемую частоту переключения, а также поставляються в сверхтонких корпусах.
Таблица выбора продукта
Quick Power Search
Input |
V
V
Output |
V
A