LT8641A評価用ボードでベンチ測定を実施

2025年05月19日

Silent Switcher®(サイレント・スイッチャ)アーキテクチャを採用したLT8641A降圧レギュレータを評価します。テスト用のセットアップを接続および調整し、LT8641Aの広い入力電圧範囲や低静止電流、出力リップルを確認する方法をご説明します。正確な測定を行うための評価用キット、試験装置、プローブのセットアップ方法をご紹介します。

LT8641A降圧レギュレータは、EMI放射を最小限に抑えながら最大3MHzの周波数で高い効率を実現するよう設計された、Silent Switcherアーキテクチャを採用しています。3mm × 4mmのサイド・ウェッタブルQFNパッケージに組み込まれ、パワー・スイッチと必要なすべての回路を内蔵したモノリシック構造により、PCBフットプリントを最小限に抑えたソリューションを実現します。出力が完全にレギュレーションされた状態で2.5µAという超低静止電流であるため、非常に小さな負荷電流で最高の効率が要求されるアプリケーションにも対応できます。優れた過渡応答を常に維持し、0から最大電流までのどのような負荷に対しても、出力電圧リップルを10mVP-P未満に抑えます。

評価用回路EVAL-LT8641A-AZは、LT8641Aを使用した、スペクトラム拡散周波数変調付きの65V、3.5A/5Aピーク同期整流式降圧Silent Switcher®(サイレント・スイッチャ)です。このデモ用ボードは、5.5V~65Vの入力で5Vの出力を提供するように設計されています。入力範囲が広いため、オートモーティブ・バッテリや工業用電源などの様々な入力源で使用できます。LT8641Aはコンパクトな超低放射、高効率、高速の同期整流式モノリシック降圧スイッチング・レギュレータです。上側と下側の両方の電源スイッチ、補償部品、およびその他の必要な回路がLT8641Aパッケージ内にあるため、外付け部品は最小限であり、設計がシンプルになります。特殊なSilent Switcher®(サイレント・スイッチャ)アーキテクチャによってEMI放射が最小限に抑えられます。選択可能なスペクトラム拡散モードにより、EMI性能を更に改善できます。Burst Mode®動作での2.5µAの超低静止電流により、超軽負荷で高効率です。35nsの高速最小オン時間により、高いVINから低いVOUTへの変換を高い周波数で実行できます。

ご興味をお持ちでしたら、LT8641A製品ページでご質問ください。

LT8641A評価用ボードでベンチ測定を実施

2025年05月19日

Silent Switcher®(サイレント・スイッチャ)アーキテクチャを採用したLT8641A降圧レギュレータを評価します。テスト用のセットアップを接続および調整し、LT8641Aの広い入力電圧範囲や低静止電流、出力リップルを確認する方法をご説明します。正確な測定を行うための評価用キット、試験装置、プローブのセットアップ方法をご紹介します。

LT8641A降圧レギュレータは、EMI放射を最小限に抑えながら最大3MHzの周波数で高い効率を実現するよう設計された、Silent Switcherアーキテクチャを採用しています。3mm × 4mmのサイド・ウェッタブルQFNパッケージに組み込まれ、パワー・スイッチと必要なすべての回路を内蔵したモノリシック構造により、PCBフットプリントを最小限に抑えたソリューションを実現します。出力が完全にレギュレーションされた状態で2.5µAという超低静止電流であるため、非常に小さな負荷電流で最高の効率が要求されるアプリケーションにも対応できます。優れた過渡応答を常に維持し、0から最大電流までのどのような負荷に対しても、出力電圧リップルを10mVP-P未満に抑えます。

評価用回路EVAL-LT8641A-AZは、LT8641Aを使用した、スペクトラム拡散周波数変調付きの65V、3.5A/5Aピーク同期整流式降圧Silent Switcher®(サイレント・スイッチャ)です。このデモ用ボードは、5.5V~65Vの入力で5Vの出力を提供するように設計されています。入力範囲が広いため、オートモーティブ・バッテリや工業用電源などの様々な入力源で使用できます。LT8641Aはコンパクトな超低放射、高効率、高速の同期整流式モノリシック降圧スイッチング・レギュレータです。上側と下側の両方の電源スイッチ、補償部品、およびその他の必要な回路がLT8641Aパッケージ内にあるため、外付け部品は最小限であり、設計がシンプルになります。特殊なSilent Switcher®(サイレント・スイッチャ)アーキテクチャによってEMI放射が最小限に抑えられます。選択可能なスペクトラム拡散モードにより、EMI性能を更に改善できます。Burst Mode®動作での2.5µAの超低静止電流により、超軽負荷で高効率です。35nsの高速最小オン時間により、高いVINから低いVOUTへの変換を高い周波数で実行できます。

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