お探しの製品ではありませんか
3
質問する
以下に質問を入力すると、アナログ・デバイセズのナレッジ・ベースからよくある質問の答えを見ることができます。
検索
その他のサポート
よく聞かれる質問（FAQ）
特長
- DC～18GHzの周波数範囲
- 最大64Gbpsの高ビット・レート機能
- 低挿入損失：
- 8GHzで0.5dB（代表値）
- 16GHzで1.0dB（代表値）
- 高入力IIP3：73dBm（代表値）
- 大RF電力処理：33dBm（最大値）
- オン抵抗：1.9Ω（代表値）
- 大DC電流処理：200mA
- 高スイッチ・サイクル数：1億サイクル（最小値）
- 高速スイッチング時間：200μs TON（代表値）
- 3.3Vドライバ内蔵により、パラレル・インターフェースやSPIを使用して簡単に制御可能
- デカップリング抵抗やシャント抵抗などの受動部品を内蔵してスペースを節約
- 小型の5mm × 4mm × 1mm 24ピン・プラスチック・パッケージ
- 温度範囲：−40°C～+85°C
.svg?rev=fd385c90e2cf4716ae9a8c8d20e6b8e3&la=ja&h=24&w=24&hash=8FE198C1188D0BCB070397DC2E4811D6){kind=icon}
ADGM1121は、アナログ・デバイセズのマイクロマシン（MEMS）スイッチ技術を使用して製造された、広帯域の双極双投（DPDT）スイッチです。この技術により、小さいフォーム・ファクタ、広いRF帯域幅、高い直線性、小さい挿入損失を備え、最小0Hz/DCで動作するスイッチが実現します。このスイッチは、広いRF範囲と高精度の装置切替えが求められる場合に理想的なソリューションとなります。
内蔵ドライバ・チップにより、静電気力でスイッチを作動させるための高電圧が生成されます。これは、パラレル・インターフェースとシリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）により制御できます。すべてのスイッチは独立して制御できます。
このデバイスは、24ピン、5mm × 4mm × 1mmランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージを採用しています。ADGM1121の最適な動作を確保するため、データシートの重要な動作条件セクションを参照してください。
ADGM1121のオン抵抗（RON）の性能は、デバイスごとのばらつき、チャンネルごとのばらつき、サイクル作動、ターン・オン後のセトリング時間、バイアス電圧、温度変化などの影響を受けます。
アプリケーション
- ATEの負荷およびプローブ・ボード
- 高速ループバック試験時のDC
- 高速SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
- リレーの代替
- 再構成可能なフィルタ／減衰器
- 防衛用無線とマイクロ波無線
- セルラ・インフラストラクチャ：5Gミリ波
3
質問する
以下に質問を入力すると、アナログ・デバイセズのナレッジ・ベースからよくある質問の答えを見ることができます。
検索
その他のサポート
よく聞かれる質問（FAQ）
{{modalTitle}}
{{modalDescription}}
{{dropdownTitle}}
- {{defaultSelectedText}} {{#each projectNames}}
- {{name}} {{/each}} {{#if newProjectText}}
-
{{newProjectText}}
{{/if}}
{{newProjectTitle}}
{{projectNameErrorText}}
ADGM1121
資料
Filters
1つが該当
-
すべて
-
データシート
-
ユーザ・ガイド
-
すべて
-
English
-
日本語
データシート
2
ユーザ・ガイド
1
利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADGM1121BCCZ |
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
|
|
|
| ADGM1121BCCZ-R2 |
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
|
|
|
| ADGM1121BCCZ-RL7 |
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
|
|
- ADGM1121BCCZ
- ピン／パッケージ図
-
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADGM1121BCCZ-R2
- ピン／パッケージ図
-
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADGM1121BCCZ-RL7
- ピン／パッケージ図
-
24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 | ||
|---|---|---|---|---|
|
LDOプラス1 |
||||
|
新規設計に推奨 |
20V、200mA、超低ノイズ、超高PSRRのRFリニア・レギュレータ |
|||
|
MEMS スイッチ3 |
||||
|
新規設計に推奨 |
MEMSスイッチ、0Hz/DC〜18GHz、SP4T |
|||
|
新規設計に推奨 |
0Hz/DC～14GHz、単極、4投ドライバ内蔵MEMSスイッチ |
|||
|
新規設計に推奨 |
MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ～ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵 |
|||
|
デバイス電源（DPS）およびATEパラメトリック測定ユニット（PMU）用1 |
||||
|
製造中 |
パラメータ測定ユニット、クワッド、レベル設定用16ビットDAC内蔵 |
|||
|
正電圧のリニア電圧レギュレータ（LDO）6 |
||||
|
新規設計に推奨 |
300mA、低ノイズ、マイクロパワーLDOレギュレータ |
|||
|
新規設計に推奨 |
40V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ |
|||
|
新規設計に推奨 |
20V、500mA、超低ノイズ、 VIOC制御を備える超高PSRRリニア・レギュレータ |
|||
|
製造中 |
リニア・レギュレータ、150mA、超低ノイズ、CMOS |
|||
|
新規設計に推奨 |
LDOリニア・レギュレータ、20V、200mA、ローノイズ、CMOS |
|||
|
新規設計に推奨 |
20V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ |
|||
評価用キット 1
EVAL-ADGM1121
0Hz/DC～16GHz、2 x DPDT、MEMSスイッチADGM1121の評価
製品の詳細
EVAL-ADGM1121SDZはADGM1121の評価ボードです。このデバイスはデュアルチップ無線周波数（RF）スイッチング・ソリューションであり、双極双投（DPDT）マイクロマシン（MEMS）スイッチが制御チップと共にコンパクトな5.00mm × 4.00mm × 1.00mmのLGAパッケージに収められています。
DPDTスイッチは、帯域幅の観点で最適な性能、電力処理機能、RFアプリケーション向けの直線性を備えたアナログ・デバイセズのMEMSスイッチ技術を利用しています。制御チップは、MEMSスイッチに必要な高電圧信号を生成し、ユーザがシンプルで柔軟な相補型金属酸化膜半導体（CMOS）／低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）準拠の並列インターフェースを介してその動作を制御できるようにします。シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）経由も同様です。複数のADGM1121デバイスをデイジーチェーン接続して、最小限のデジタル回線で複数のデバイスを構成することもできます。
SPIの場合、EVAL-ADGM1121SDZは、システム・デモンストレーション・プラットフォーム（SDP）ボードを介してPCのUSBポートに接続します。EVAL-SDP-CB1Zボード（SDP-Bコントローラ・ボード）は、アナログ・デバイセズのWebサイトでご注文いただけます。
EVAL-ADGM1121SDZには、RF信号と制御信号用のコネクタ、およびスイッチの動作を制御してその性能を評価するためのリンクが付属しています。
ADGM1121の詳細については、ADGM1121のデータシートを参照してください。EVAL-ADGM1121SDZを使用する際は、ユーザ・ガイドと併せてADGM1121のデータシートも参照してください。
ツールおよびシミュレーション 3
LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。
LTspiceデモ用回路集の実行方法
ステップ1: LTSpiceをダウンロードし、インストールしてください。
ステップ2: 下のセクションのリンクをクリックし、デモ用回路をダウンロードしてください。
ステップ3: 下のリンクをクリックしてもLTSpice が自動的に開かない場合は、リンクを右クリックし、“Save Target As”（対象をファイルに保存）を選択する方法でもシミュレーションを実行できます。ファイルを保存したら、LTSpiceを起動し、"File"メニューから"Open"を選択してデモ用回路を開いてください。
Lt Spice
IBISモデル 1
Sパラメータ 1