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HMC263LP4E

量产

低噪声放大器，采用SMT封装，24 - 36 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

低噪声系数： 2.2 dB
高增益： 20 dB
单正电源： +3V或+5V
隔直RF I/O
无需外部匹配
24引脚4x4mm QFN封装： 16mm²

参考资料

数据手册 1

HMC263LP4E: GaAs MMIC Low Noise Amplifier, 24 - 36 GHz Datasheet 10/22/2015

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC263LP4E	24-Lead LFCSP (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC263LP4ETR	24-Lead LFCSP (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

3月 29, 2023 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products
		PCN22_0048_Form Material_Report Qualification Results Summary Detailed Change Description
HMC263LP4E	量产
HMC263LP4ETR	量产

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S-参数 1

HMC263LP4 S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.