ADL8142
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ADL8142

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz

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产品详情
特性
  • 低噪声系数:1.6 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 单正电源(自偏置)
  • 高增益:27 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 高OIP3:21.5 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
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ADL8142是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范围内,ADL8142提供27 dB典型增益、1.6 dB典型噪声系数和29 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3),采用2 V电源电压时功耗仅为25 mA。注意,可通过较大的漏极电流改善OIP3。ADL8142还具有交流耦合的输入和输出,内部匹配至50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电应用。

ADL8142采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。

应用

  • 卫星通信
  • 电信
  • 民用雷达

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参考资料

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ADL8142ACPZN
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ADL8142ACPZN-R7
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9月 28, 2023

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Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products

9月 21, 2022

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Moisture Sensitivity Level Rating Change for ADL8142

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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4003C 和 Isola Group 370HR 评估板
  • 端接型,2.92 mm RF 连接器
  • 直通校准路径(未接入设备)

产品详情

ADL8142-EVALZ 由用 8 毫米厚的 Rogers 4003C 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成,形成 62 毫米的标称厚度。ADL8142-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 2.92 mm 母头同轴连接器填充,其各自的射频回溯都有 50 Ω 特性阻抗。ADL8142-EVALZ 装有适合在 ADL8142 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗,J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器,才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能,请参阅用户手册中的表 1 和图 3。

连接ADL8107-EVALZ 的接地路径和 VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器、GND 和 VDD。​随附用于 VBIAS 的补充测试点,可轻松访问 RBIAS 引脚(测试点组件见图 5)。

ADL8142-EVALZ 上的 RF 回溯为 50 Ω,接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面,并特别关注接地焊盘正下方的区域,以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADL8142-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。

有关 ADL8142 的完整详细信息,请参阅 ADL8142 数据手册,在使用 ADL8142-EVALZ 时,必须同时参阅该数据手册和本用户指南。

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