ADL8100

推荐用于新设计

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至20 GHz

数据手册 (Rev. A) 产品选型表
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概述

  • 低噪声系数：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz时）
  • 单正电源（自偏置）
  • 高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
  • 高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装

ADL8100是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、宽带低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范围内提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范围内提供2.5 dB典型噪声系数，在0.01 GHz至6 GHz范围内提供38 dBm典型输出三阶交调点(OIP3)，采用5 V电源电压时功耗仅为220 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率来降低功耗。ADL8100还具有内部匹配50Ω的直流耦合输入和输出。

ADL8100采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、8引脚LFCSP封装。

应用

  • 卫星通信
  • 电信
  • 民用雷达
  • 军用雷达
  • 气象雷达
  • 电子战

    • ADL8100
    GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至20 GHz
    ADL8100 - Functional Block Diagram ADL8100 - Pin Configuration
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    数据手册 1

    用户手册 1

    应用笔记 3

    技术文章 1

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    EVAL-ADL8100

    评估ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至20 GHz

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    特性和优点

  • 配备散热器的2层Rogers 4350B评估板
  • 端接型、2.9 mm RF连接器
  • 直通校准路径（减少连接器）

    • 产品详情

    ADL8100ACPZN-EVALZ和ADL8100ACPZN-EVAL1Z均为2层印刷电路板(PCB)，采用10 mil厚的Rogers 4350B铜箔制成，并安装在铝制散热器上。该散热器有助于器件散热并向PCB提供机械支持。散热器上的安装孔便于连接到较大的散热器，从而改善热管理。

    ADL8100ACPZN-EVALZ和ADL8100ACPZN-EVAL1Z上的RFIN和RFOUT端口装有2.9 mm插口同轴连接器，各自的RF走线具有50 Ω特性阻抗。ADL8100ACPZN-EVALZ和ADL8100ACPZN-EVAL1Z配备适合在−40°C至+85°C整个工作温度范围内使用的组件。

    为校准评估板走线损耗，在THRUCAL连接器（J1和J2）之间提供了一个直通校准路径THRUCAL。THRUCAL必须安装RF连接器才能使用直通校准路径。

    可通过表贴技术(SMT)测试点访问电源电压和接地路径。

    外部宽带偏置器必须连接到ADL8100ACPZN-EVALZ的RFOUT，才能通过RFOUT提供偏置电流和交流耦合。建议使用Marki Microwave公司的BT2-0040。ADL8100ACPZN-EVAL1Z具有板载SMT偏置器。

    有关ADL8100的完整详细信息，请参阅ADL8100数据手册，在使用ADL8100ACPZN-EVALZ和ADL8100ACPZN-EVAL1Z时，必须同时参阅该数据手册和用户指南。
    EVAL-ADL8100
    评估ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至20 GHz
    ADL8100 Evaluation Board - Angle ADL8100 Evaluation Board - Top ADL8100 Evaluation Board - Bottom

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