LT8419
推荐用于新设计100V 半桥 GaN 驱动器,单引脚三态 PWM 输入,智能集成自举开关,可调死区时间
用于 GaN FET 的半桥栅极驱动器
- 产品模型
- 1
概述
- 用于 GaN FET 的半桥栅极驱动器
- 0.6Ω 驱动器上拉电阻
- 0.2Ω 驱动器下拉电阻
- 4A 峰值源、8A 峰值灌电流能力
- 智能集成式引导开关可防止 BST-SW 电压过充
- 用于调节开/关强度的分流栅极驱动器
- 所有驱动器输出的默认低状态
- 单路、三态、TTL 逻辑兼容的 PWM 输入
- 可编程死区时间约为 2ns、6ns 和 10.5ns
- 快速传播延迟:13.5 纳秒(典型值)
- 平衡驱动器电源电压:VBST ≈VCC = 3.85V - 5.5V
- 欠压和过压锁定保护
- 小型 12 焊球 WLCSP 封装
LT8419 是一款 100V 半桥 GaN 驱动器,集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护。它可以配置成同步半桥或全桥拓扑结构,以及降压、升压和升降压拓扑结构。LT8419 通过 0.6Ω 上拉电阻和 0.2Ω 下拉电阻提供强大的拉电流/灌电流能力。它还集成了智能集成引导开关,可从具有最小电压差的 VCC 生成平衡引导电压。
LT8419 提供分离栅极驱动器来调整 GaN FET 的开启和关闭压摆率,从而抑制振荡和优化 EMI 性能。驱动器 PWM 输入默认为三状态,驱动器输出默认为低态,以防止 GaN FET 误开启。LT8419 的 PWM 输入与 TTL 逻辑兼容,可控制两个互补输出,用户可将死区时间调节为 ~2ns、~6ns 和 ~10.5ns。LT8419 具有 13.5ns 的快速传播延迟,并且在上下通道之间保持 1ns 的优异延迟匹配,使其适用于高频 DC-DC 转换器、电机驱动器和 D 类音频放大器。此外,LT8419 采用 WLCSP 封装,最大限度地减少了寄生电感,使其能够广泛用于高性能和高功率密度应用。
应用
- 高频 DC-DC 开关电源转换器
- 半桥、全桥、推挽式转换器
- 数据中心电源
- 电机驱动器、D 类音频放大器
- 消费电子、工业和汽车
参考资料
数据手册 1
用户手册 2
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| LT8419ACBZ-R7 | WLCSP |
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