新一代大电流、高性能降压和升压型μModule稳压器

摘要

本文介绍一种新型高性能升压和降压型μModule®稳压器。与上一代大电流降压-升压μModule稳压器相比,它实现了更高的能效比和更优的热性能。本文还介绍了其他一些重要特性,包括适用于更高功率应用的并联配置、可选的恒流调节功能,以及冗余输入配置。

简介

许多应用都需要宽输入和/或输出电压范围,例如电池供电系统。在输入电压可能低于或高于输出电压的情况下,电源需要调节其输出电压。只要不需要接地隔离,四开关降压-升压拓扑结构就能为此类应用提供超高的效率和功率密度。此外,降压升压稳压器非常灵活,可用作单纯的降压电源或升压(带短路保护)电源。

ADI公司的µModule部门开发了多款降压-升压稳压器。如图1所示, LTM8045LTM8049LTM8083LTM4693 旨在满足较低电流应用的需求。而LTM4607系列、LTM8055系列以及新发布的LTM4712降压-升压 模块支持大电流应用(最高12 A)。 LTM4607/LTM4605/LTM4609 系列 内部集成了控制器和MOSFET,但需要在PCB上连接外部功率电感和检测电阻(RSENSE),以构成完整的电源解决方案,如图2所示。

Figure 1. The ADI four-switch buck-boost family.
图1. ADI四开关降压-升压系列
Figure 2. The LTM4607 power stage schematic.
图2. LTM4607功率级原理图

LTM8054、LTM8055和LTM8056则将功率电感和 RSENSE集成到µModule封装中,从而简化了客户的设计和布局工作,如图3所示。与LTM4607系列相比,LTM8055系列提供了更小尺寸的解决方案,但其输出电流受限于小尺寸集成电感,因此热性能和效率方面存在一定局限性。

Figure 3. The LTM8055 typical application circuit.
图3. LTM8055典型应用电路

2023年,ADI发布了新款大电流、四开关降压-升压稳压器LTM4712。这是一款36 VIN(最大值)、12 A功率模块,采用高密度16 mm × 16 mm × 8.34 mm BGA封装。它采用ADI专有的先进组件封装技术,将高性能功率电感集成到封装中。图4显示了该模块中集成的专有电流检测方案。这不仅节省了空间,而且还有效减少了额外的功率损耗。该器件采用先进的降压-升压控制器和高级ADI封装,能够在宽输入输出电压范围内实现超高的功率水平、功率密度、效率和出色的热性能。

Figure 4. The LTM4712 typical application circuit.
图4. LTM4712典型应用电路

LTM4712具有快速逐周期电流模式控制功能,有助于实现可靠的保护和平稳的模式转换。当采用并联配置以支持更高电流的应用时,它有助于实现出色的均流功能。此外,这款新器件支持可选的恒定输出电流模式,可用于电池充电应用,同时还允许冗余输入,从而增强其作为冗余电源的通用性。

表1全面比较了LTM4712、LTM4607系列和LTM8055系列模块。LTM4712因 其大电流、高能效比和用户友好型设计脱颖而出,非常适合可接受8.34 mm高度的应用。

表1. LTM4712、LTM4605系列和LTM8055系列总结

LTM4712 LTM4605 LTM4607 LTM4609 LTM8054 LTM8055 LTM8056
电感、 RSENSE 集成L/DCR 外部L和 RSENSE 集成 L 和 RSENSE
控制策略 峰值电流 谷值电流用于降压
峰值电流用于升压
谷值电流用于降压
峰值电流用于升压
VIN范围 5 V 至 36 V 4.5 V 至 20 V 4.5 V 至 36 V 4.5 V 至 36 V 5 V 至 36 V 5 V 至 36 V 5 V to 60 V
VOUT 范围 1 V至 36 V 0.8 V 至 16 V 0.8 V 至 24 V 0.8 V 至 34 V 1.2 V 至 36 V 1.2 V 至 3 V 1.2 V to 48 V
IOUT_MAX(降压) 12 A 12 A 10 A 10 A 5.4 A 8.5 A 5.5 A
IOUT_MAX (6 VIN
12 VOUT)
6 A 5 A 5 A 4 A 1.8 A 3 A 1.7 A
封装尺寸(mm) 16 × 16 × 8.34
(BGA)
15 × 15 × 2.82 (LGA) 15 × 15 × 2.82
(LGA)
15 × 15 × 3.42
(BGA)
15 × 11.25 × 3.4
(BGA)
15 × 15 × 4.92 (BGA)
引脚兼容性 N/A 引脚兼容 N/A 引脚兼容
效率 最高 中等 最低

LTM4712带来显著的效率提升和热性能改善

图5比较了LTM4607、LTM8055和最近推出的LTM4712在6 V VIN、12 V VIN、24 V VIN及12 V VOUT条件下的效率。评估使用了可在线订购的标准评估板。根据测试结果,LTM4712在效率方面明显优于其他两款产品,并且电流能力更强。

Figure 5. Efficiency comparison among the LTM4712, LTM4607, and  LTM8055.
图5. LTM4712、LTM4607和LTM8055之间的效率比较

图6显示了室温条件下无任何强制散热措施时的热性能比较。值得注意的是,在12 V VIN和12 V VOUT条件下,与LTM8055相比,LTM4712在功率翻倍的情况下温度降低了30°C。对于需要12 A电流的应用,如果使用LTM8055,则根据散热系统的不同,可能需要并联两到三个该器件。然而,如果使用LTM4712,那么一个器件就足够了,PCB占用空间大大减少,电路设计也更简单。

Figure 6. Thermal performance comparison among the LTM4712, LTM4607, and LTM8055, TA = 25°C, no forced cooling.
图6. LTM4712、LTM4607和LTM8055之间的热性能比较,TA = 25°C,无强制散热

表2全面呈现了LTM4712、LTM4607和LTM8055在各种工作条件下的效率和热性能,环境温度为25°C,无强制散热。图7展示了电流密度与解决方案尺寸的关系。所有测试和比较均基于可在线订购的标准演示板进行。

表2. 效率和热性能比较
工作工作条件 参数 LTM4712 LTM4607 LTM8055
6 VIN/12 VOUT
(升压)
最大 IOUT (A) 6 5 3
效率
(%)_IMAX
93.7 93.2 91.5
温度
(°C)_IMAX
62 76 80
12 VIN/12 VOUT
(降压-升压)
最大 IOUT (A) 12 10 6
效率
(%)_IMAX
96.4 95.9 93
温度
(°C)_IMAX
80 79 125
24 VIN/12 VOUT
(降压)
Max IOUT (A) 12 10 6
效率
(%)_IMAX
97 95 93.6
温度
(°C)_IMAX
72 93 110
Figure 7. Current density comparison among the LTM4712, LTM4607,  and LTM8055.
图7. LTM4712、LTM4607和LTM8055之间的电流密度比较

并联配置下实现良好的均流

LTM4712支持并联配置,通过简单的设置即可实现更高的输出功率。得益于电流模式控制,它具备出色的均流性能。 EVAL-LTM4712-A2Z评估套件展示了四个模块并联运行的情况,此时能提 供48 A的总输出电流。

当利用该器件实现并联配置时,必须参考评估板的设计和配置。为了实现有效均流,并联模块时需要连接COMP引脚和FB引脚。PHMODE引脚可用于配置相移。在四个模块并联的情况下,PHMODE引脚连接至INTVCC可以产生90°相移,从而实现出色的交错效果。此外,为了实现频率同步,应将第一个模块的CLOCKOUT信号连接到第二个模块的SYNC引脚。

图8展示了无强制散热情况下的热图像,可以看到每个LTM4712的温度相似,表明均流效果良好。图9显示了48 A负载条件下每个器件上的IMON电压。每个IMON引脚的电压平均值约为0.7 V,表明每个通道的负载为12 A。这些测试均在评估板上进行。

Figure 8. 4× LTM4712 in parallel to deliver 48 A at 36 VIN, 12 VOUT, TA = 25°C,  no added airflow.
8. 4个LTM4712并联,在36 VIN、12VOUT、TA = 25°C下提供48 A电流,无外加气流
Figure 9. IMON voltage on each LTM4712 with a 48 A load.
图9. 48 A负载下每个LTM4712上的IMON电压

可选恒流调节

LTM4712可用作恒定输出电流源,因此适用于电池充电器或LED驱动器等应用。图10所示的示例电路设计用于提供稳定的10 A负载电流。

Figure 10. Example circuit of 10 A constant load current.
图10. 10 A恒定负载电流的示例电路

负载电流通过ISET引脚和输出端附近的外部输出电流检测电阻来 设置。公式VSENSE = IOUT × RSENSE_IOUT 定义了代表平均输出电流的电压。 最大VSENSE由ISET引脚上的电压决定,范围为0.2 V至1.2 V,线性对应 0 mV至50 mV。ISET引脚电压VISET由一个15 μA内部电流源和一个连接在ISET引脚与地之间的电阻RISET决定,表示为VISET = 15 μA × RISET 因此,输出电流计算公式为:IOUT = (VISET - 0.2 V)/(20 × RSENSE_IOUT)。根据该公式,基于5 mΩ RSENSE_IOUT的输出电流随不同VISET的变化如图11中的蓝色曲线所示。图11中的紫色曲线为工作台测试结果。可以看到,测量结果与理想曲线高度吻合,表明恒流调节精度出色。

Figure 11. Bench-tested constant output current regulation with different
VISET based on 5 mΩ RSENSE_IOUT.
图11. 基于5 mΩ RSENSE_IOUT,不同 VISET 下恒定输出电流调节的工作台测试

需要注意的是,当ISET引脚浮空时,或当ISET引脚电压超过1.2 V时,内部电路会将最大 VSENSE限制为50 mV。由于输出中存在纹波 电流,必须在ISP和ISN引脚上使用RC滤波器,以实现准确的平均电流检测。此外,在选择FB引脚和地之间的反馈电阻时,应确保其产生的输出电压高于目标VOUT

冗余电源

TLTM4712适用于需要冗余输入的应用。它可用于需要备用电源的系统,或是那些从不同输入源获取电源以支持公共负载的系统。图12显示了一个示例电路,其中的两个模块由不同输入(VIN1和VIN2)供电,共同为24 A负载提供12 V输出。值得注意的是,任一输入电压下降都不会影响输出调节,而且通过连接COMP引脚,峰值电感均流作用始终有效。

Figure 12. Input redundancy application circuit.
图12. 输入冗余应用电路

图13显示了两种不同条件下的工作台测试波形。图13a展示了相位1和相位2都在降压-升压模式下运行的情况。最初,相位1提供4 A负载电流,在相位2激活后,二者逐渐各自分担一半的负载电流。IMON波形显示,当两个相位都在运行时,两个相位平等分担负载电流。

Figure 13. Input redundancy application circuit.
图13. 输入冗余应用电路

图13b展示了相同负载条件但输入不同的情况。这里,相位1以升压模式运行,而相位2以降压模式运行。由于COMP引脚连接在一起,两个相位的峰值电感电流相同。因此,相位1(升压)的输出电流低于相位2(降压)的输出电流。每个相位提供的具体负载电流可以根据电感、开关频率、 VIN、VOUT和总负载电流等参数计算得出。在此示例中,相位1提供1.4 A负载电流,而相位2提供2.6 A负载电流。

设计和仿真工具

为了进一步简化用户的设计工作,LTM4712得到了LTpowerCAD®具和LTspice®软件的支持:前者用于优化电源元件、效率、环路补 偿和负载瞬态,后者用于执行时域动态仿真。

结论

LTM4712是一款性能突出的全集成式降压-升压型µModule稳压器,以出色的效率、高功率密度和良好的热性能著称。它在并联配置中表现出良好的均流能力,多个器件可以轻松并联以支持更高功率的应用。该器件可以灵活配置为恒定电流输出,因此非常适合电池充电系统或LED应用。此外,它还支持冗余输入,从而进一步提高了其适应性。

若要全面了解如何正确使用该器件,建议参考数据手册和相关的评估套件设计。这些资源提供了宝贵的见解和技术规范,对于用户在不同应用中优化性能至关重要。

关于作者

Ling Jiang
Ling Jiang于2018年毕业于田纳西州诺克斯维尔大学,获电气工程博士学位。毕业后,她加入ADI公司电源产品部,工作地点位于美国加利福尼亚州圣克拉拉。Ling是一名应用工程师,负责为汽车、数据中心、工业和其他应用的控制器和µModule器件提供支持。
Wesley Ballar
Wesley Ballar是多市场应用部门的应用工程师,主要负责µModule®产品支持工作。自2016年加入ADI公司以来,他在不同岗位上为µModule团队提供支持。Wesley于2015年毕业于加州州立理工大学,获电气工程学士学位。
Anjan Panigrahy
Anjan Panigrahy于2023年毕业于德克萨斯大学奥斯汀分校,获电气与计算机工程学位,主修电力电子学。他现担任ADI公司多市场应用部门的产品应用工程师,从事μModule®稳压器支持工作。
Henry Zhang
Henry Zhang是ADI的Power by Linear™应用经理。他于1994年获得中国浙江大学颁发的电子工程学士学位,分别于1998年和2001年获得弗吉尼亚理工学院暨州立大学(黑堡)颁发的电子工程硕士学位和博士学位。

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