LTC4444

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高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

数据手册 (Rev. C) 产品选型表
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概述

  • 自举电源电压至 114V
  • 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
  • 自适应贯通保护功能
  • 2.5A 峰值 TG 上拉电流
  • 3A 峰值 BG 上拉电流
  • 1.2Ω TG 驱动器下拉电阻
  • 0.55Ω BG 驱动器下拉电阻
  • 5ns TG 下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns TG 上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns BG 下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns BG 上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 欠压闭锁功能
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

LTC4444 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4444 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4444 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444 还内置了自适应贯通保护功能，用于阻止两个 MOSFET 同时传导。

如需了解该产品系列的相似驱动器，请查阅下表。

参数 LTC4444 LTC4446 LTC4444-5
贯通保护功能 有 无 有
绝对最大 TS 100V 100V 100V
MOSFET 栅极 驱动电压 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 4.5V 至 13.5V
VCC UV+ 6.6V 6.6V 4V
VCC UV– 6.15V 6.15V 3.55V

应用

  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信
LTC4444
高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
LTC4444 Application Circuit LTC4444 Pin Configuration LTC4444 Performance Graph
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