LTC4446

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高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

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概述

  • 自举电源电压高至 114V
  • 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
  • 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 3A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 具欠压闭锁功能
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。

LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。

LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。

LTC4446 不具备自适应贯通保护功能。如需了解具自适应贯通保护功能的相似驱动器，请查阅下表。

参数 LTC4446 LTC4444 LTC4444-5
贯通保护功能 无 有 有
绝对最大TS 100V 100V 100V
MOSFET 栅极驱动电压 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 4.5V 至 13.5V
VCC UV+ 6.6V 6.6V 4V
VCC UV– 6.15V 6.15V 3.5V

应用

  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信系统

LTC4446
高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
Two Switch Forward Converter LTC4446 Driving a 1000pF Capacitive Load Product Package 1
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