概览
优势和特点
- 低噪声系数：1.4 dB（典型值）
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：≤15.5 dB（典型值）
- 高OIP3：≤33 dBm（典型值）
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装
- 下载HMC8412TCPZ-EP数据手册(pdf)
- • 军用温度范围（−55℃至+125℃）
- • 受控制造基线
- • 唯一封装/测试厂
- • 唯一制造厂
- • 产品变更通知
- • 认证数据可应要求提供
- V62/21602 DSCC图纸号
产品详情
HMC8412 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。
HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪声指数和 ≤33 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要来自 5 V 漏极电源电压的 60 mA 的电流。≤ 20.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。
HMC8412 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，使得该套件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。
HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 电信
- 军用雷达与通信电子战
- 航空航天
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
文档
工具及仿真模型
参考资料
产品选型手册 (1)
设计资源
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