概览
优势和特点
- 低噪声系数：1.7 dB（典型值）
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：15.5 dB（典型值）
- 高OIP3：34 dBm（典型值）
- 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP
- 下载HMC8411TCPZ-EP数据手册(pdf)
- 军用温度范围（-55℃至+125℃）
- 受控制造基线
- 唯一封装/测试厂
- 唯一制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19617 DSCC图纸号
产品详情
HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。
HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。
HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。
HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。
多功能引脚名称只能供其相关功能引用。
应用
- 测试仪器仪表
- 军事通信
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (3)
文档
工具及仿真模型
S参数
参考资料
产品选型手册 (1)
技术文章 (1)
设计资源
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PCN-PDN信息
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