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HMC8410-DIE

量产

0.01 GHz至10 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 低噪声系数:1.1 dB(典型值)
  • 高增益:19.5 dB(典型值)
  • 高输出三阶交调截点(IP3):33 dBm(典型值)
  • 裸片尺寸:0.95 mm × 0.61 × 0.102 mm

HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

HMC8410CHIPS还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

应用

  • 软件定义无线电
  • 电子战
  • 雷达应用

HMC8410-DIE
0.01 GHz至10 GHz,GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器
HMC8410CHIPS Functional Block Diagram HMC8410CHIPS Pin Configuration
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