HMC407

推荐新设计使用

InGaP HBT功率放大器SMT，5 - 7 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 4

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产品详情

增益： 15 dB
饱和功率： +29 dBm
28% PAE
电源电压： +5V
省电功能
无需外部匹配

参考资料

数据手册 1

HMC407 Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 3

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC407MS8G	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC407MS8GE	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC407MS8GETR	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC407MS8GTR	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
		PCN19_0063_Form Material_Report Other Qualification Results Summary Qualification Results Summary Other
HMC407MS8G	量产
HMC407MS8GE	量产
HMC407MS8GETR	量产
HMC407MS8GTR	量产
6月 4, 2025 - 25_0035 Carsem SnPb Packaging End of Life
		PDN25_0035_Form Material_Report
HMC407MS8G	量产
HMC407MS8GTR	量产

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S-参数 1

HMC407 S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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