概览
优势和特点
- 13 A短路源电流（0 Ω栅极电阻）
- 14 A短路吸电流（0 Ω栅极电阻）
- 4.61 A峰值电流（2 Ω栅极电阻）
- 输出功率器件电阻：<1 Ω
- 去饱和保护
- 隔离的去饱和故障报告
- 故障时软关断
- 带栅极检测输入的米勒箝位输出
- 隔离故障和就绪功能
- 低传输延迟：55 ns（典型值）
- 最小脉冲宽度：50 ns
- 工作温度范围：−40°C至+125°C
- 输出电压范围至30 V
- 输入电压范围：2.5 V至6 V
- 输出和输入欠压保护(UVLO)
- 爬电距离：7.8 mm（最小值）
- 共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/μs
- 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
- 安全和法规认证
- 1分钟5 kV AC，符合UL 1577
- CSA元件验收通知5A
- DIN VDE V 0884-11:2017-01
- VIORM= 849 V峰值（加强）
- 通过汽车应用认证
产品详情
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4135提供米勒箝位，可在栅极电压低于2 V（典型值）时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路，都可以采用单极或双极次级电源供电。
ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供370 ns（典型值）的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA（典型值）电流源有助于降低整体器件数量，如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持使用外部电流源。
考虑到IGBT通用阈值电压，副边UVLO设置为11.67 V（典型值）。
应用
- MOSFET/IGBT栅极驱动器
- 光伏逆变器
- 电机驱动器
- 电源
- 汽车电子
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产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (2)
参考资料
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AN-1602：将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用 (Rev. 0)5/3/2019PDF505 K
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AN-1536: ADuM4135 Gate Driver Performance Driving APTMC120AM20CT1AG SiC Power Switches (Rev. 0)4/5/2018PDF670 K
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AN-1535: ADuM4135 Gate Driver Performance Driving SiC Power Switches (Rev. 0)1/3/2018PDF738 K
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AN-1316: 利用反激、 SEPIC 和 Ćuk 组合为 IGBT 电机驱动产生多个隔离偏置轨 (Rev. 0)11/17/2015PDF522 K
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