概览
优势和特点
- 4A峰值驱动输出能力
- 输出功率器件电阻：<1 Ω
- 去饱和保护n
- 隔离的去饱和故障报告
- 故障时软关断
- 带栅极检测输入的米勒箝位输出
- 隔离故障和就绪功能
- 低传播延迟：55 ns（典型值）
- 最小脉冲宽度：50 ns
- 工作温度范围：−40°C至+125°C
- 输出电压范围至30V
- 输入电压范围：2.3 V至6 V
- 输出和输入欠压闭锁(UVLO)
- 爬电距离：7.8 mm（最小值）/li>
- 共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/µs
- 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
- 安全和法规认证
- 1分钟5 kV AC，符合UL 1577
- CSA元件验收通知5A
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM= 849 V峰值（强化/基本）
产品详情
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动IGBT进行了优化。 ADI的iCoupler® 技术支持在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。
ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后，对器件复位进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。
副边UVLO设置为11V，并注意公共IGBT阈值电平。
应用- MOSFET/IGBT栅极驱动器
- 光伏逆变器
- 电机驱动
- 电源
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产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (3)
文档
应用笔记 (6)
参考资料
安全和法规认证 (1)
解决方案通报和手册 (1)
Product Selector Card (1)
适用于1200V 450A SiC模块的优化型ADuM4135栅极驱动器解决方案
ADUM4135高压隔离栅极驱动器
来自ADI公司的高性能逆变器平台
航空隔离：保护关键的信号路径
ADI公司面向工业电机控制的隔离技术
电动汽车充电解决方案——使用集成存储升压电池的高功率直流充电器
新闻 (1)
在线研讨会 (2)
设计资源
ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
PCN-PDN信息
样片申请及购买
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这里所列出的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的每片美元，美国离岸价），如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于特殊批量报价，请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。