新产品 (1)
概览
优势和特点
- 4A峰值驱动输出能力
- 输出功率器件电阻：<1 Ω
- 去饱和保护n
- 隔离的去饱和故障报告
- 故障时软关断
- 带栅极检测输入的米勒箝位输出
- 隔离故障和就绪功能
- 低传播延迟：55 ns（典型值）
- 最小脉冲宽度：50 ns
- 工作温度范围：−40°C至+125°C
- 输出电压范围至30V
- 输入电压范围：2.3 V至6 V
- 输出和输入欠压闭锁(UVLO)
- 爬电距离：7.8 mm（最小值）/li>
- 共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/µs
- 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
- 安全和法规认证
- 1分钟5 kV AC，符合UL 1577
- CSA元件验收通知5A
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM= 849 V峰值（强化/基本）
产品详情
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动IGBT进行了优化。 ADI的iCoupler® 技术支持在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4135提供米勒箝位，以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。
ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后，对器件复位进行控制。
去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量，但如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。
副边UVLO设置为11V，并注意公共IGBT阈值电平。
应用- MOSFET/IGBT栅极驱动器
- 光伏逆变器
- 电机驱动
- 电源
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产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (3)
文档
应用笔记 (6)
参考资料
安全和法规认证 (1)
产品选型手册 (1)
解决方案通报和手册 (1)
适用于1200V 450A SiC模块的优化型ADuM4135栅极驱动器解决方案
ADUM4135高压隔离栅极驱动器
来自ADI公司的高性能逆变器平台
航空隔离：保护关键的信号路径
ADI公司面向工业电机控制的隔离技术
电动汽车充电解决方案——使用集成存储升压电池的高功率直流充电器
在线研讨会 (2)
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
PCN-PDN信息
样片申请及购买
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这里所列出的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的每片美元，美国离岸价），如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于特殊批量报价，请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。