概览

优势和特点

  • 芯片中集成了上变频器(变送器)、下变频器(接收器)和带有 2× 或 4× 乘法器的 LO 链
  • 射频频率范围:24 GHz 至 29.5 GHz
  • LO 输入频率范围:
    x2 模式为 8 GHz 至 15 GHz,x4 模式为 5 GHz 至 7.5 GHz
  • 具有可选片内混合功能的复杂 IF 操作(IF 模式)
    • 差分基带 I/Q 直接转换(基带模式)
  • 可编程基带 I/Q 共模电压
  • 用于跟踪所需共模的共模输入引脚,电压范围为 0 V 至 1.5 V
  • 变送器和接收器之间具有可选的片内射频开关端口
  • 匹配的 50 Ω 阻抗、单端射频输入和输出以及射频开关端口
  • 匹配的 50 Ω 阻抗、单端 LO 输入
  • 低相位变化与增益控制
  • 上变频模式
    • 边带抑制和载波馈通优化
    • 用于 LO 馈通校准的包络检波器
  • 下变频模式
    • 镜像抑制和 I/Q 不平衡优化
    • 基带 I/Q 直流偏移校正
    • 用于接收器增益设置的接收器混频器功率检波器
  • LO 链特点
    • 可变增益以适应各种 LO 驱动强度值
    • 用于 LO 同步的 360° 移相器
    • 可编程 LO 谐波抑制滤波器
    • I/Q 相位校正
  • 通过外部引脚实现快速 TDD 切换时间
  • 用于阵列校准的校准探头
  • 可通过 3 线或 4 线 SPI 进行编程,并兼容ADMV4828 接口
  • 131 球、6 mm × 6.5 mm、BGA 封装

产品详情

ADMV1128是一款绝缘体上硅(SOI)、微波上变频器和下变频器,针对5G无线电设计进行优化,工作频率范围为24 GHz至29.5 GHz。

上变频器和下变频器同时提供两种频率转换模式。一种模式是变频自和/或变频至单端或复中频(IF)信号,然后通过片内90° IF混合模式,称为IF模式。

另一种模式是直接变频自和/或变频至差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出,称为基带模式。I/Q基带输出共模电压在0 V至1.5 V之间可编程。SPI可对正交相位进行微调以优化I/Q解调性能。

当器件用作镜像抑制下变频器时,校准之前,不需要的镜像项通常会被抑制为24dBc。ADMV1128提供平方律功率检波器以便监控下变频器混频器输入端上的功率水平。

RF接收输入、RF发射输出和本振(LO)接口全部为单端接口并匹配至50 Ω。片内RF开关提供用于结合发射和接收RF端口的选项,适用于时分双工(TDD)应用。

串行端口接口(SPI)可调整正交相位,以实现出色边带抑制性能。此外,SPI在无需载波馈通优化时可关断输出包络检波器以便降低功耗。

ADMV1128上变频器和下变频器采用紧凑的散热增强型、6 mm × 6.5 mm、球栅阵列(BGA)封装。这种BGA封装能够从封装顶部对ADMV1128进行散热,以实现高效散热。ADMV1128工作温度TC范围为−40°C至+95°C。

应用

  • 毫米波5G应用
  • 点对点微波无线电
  • 雷达和电子战系统
  • 仪器仪表和自动测试设备(ATE)

有关更多信息,请通过以下方式联系ADI公司: mmWave5G@analog.com

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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