新产品 (1)
概览
优势和特点
- 1 pF关断电容
- 2.6 pF导通电容
- 电荷注入小于1 pC
- 电源电压范围：33 V
- 导通电阻：120 Ω
- 额定电源电压：±15 V、+12 V
- 无需 VL电源
- 3 V逻辑兼容输入
- 轨到轨工作
- 16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
- 典型功耗：<0.03 µW
产品详情
ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。
iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。
ADG1211 / ADG1212 / ADG1213内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。ADG1211和ADG1212的不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1211开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1212则要求逻辑1。ADG1213有两个开关的数字控制逻辑与ADG1211相似；但其它两个开关的控制逻辑则相反。ADG1213为先开后合式开关，适合多路复用器应用。
当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。
产品特色- 超低电容
- 电荷注入小于1 pC。
- 3 V逻辑兼容数字输入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。
- 无需VL 逻辑电源。
- 超低功耗：<0.03 μW。
- 16引脚TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封装。
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 采样保持系统
- 音频信号路由
- 视频信号路由
- 通信系统
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
参考资料
-
AN-1515: Sample-and-Hold Circuit Using the ADG1211 Switch (Rev. B)1/25/2018PDF113K
-
AN-874: 在±5V电源下使用ADG12xx系列器件及其性能影响 (Rev. 0)6/17/2009PDF206 kB
-
开关和多路复用器产品选型指南5/9/2008PDF1462 kB
-
CN-0359：全自动高性能电导率测量系统 (Rev. 0)3/28/2023PDF1 M
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精密窄带宽信号链平台介绍4/28/2022
参考电路 (1)
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADG1211YCPZ-500RL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | |
| ADG1211YCPZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | |
| ADG1211YRUZ | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP | |
| ADG1211YRUZ-REEL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP | |
| ADG1211YRUZ-REEL7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 16-Lead TSSOP | |
| Wafer Fabrication Data |
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