概览

优势和特点

  • 低噪声指数:1.4 dB(典型值)
  • 单一正电源(自偏置)
  • 高增益:≤15.5 dB(典型值)
  • 高 OIP3:≤33 dBm(典型值)
  • 符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、 6 引脚LFCSP 封装

产品详情

HMC8412 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,工作范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。

HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪声指数和 ≤33 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3),只需要来自 5 V 漏极电源电压的 60 mA 的电流。≤ 20.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

HMC8412 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使得该套件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。

HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 电信
  • 军用雷达与通信电子战
  • 航空航天

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