ADUM4135
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ADUM4135

提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器

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特性
  • 13 A短路源电流(0 Ω栅极电阻)
  • 14 A短路吸电流(0 Ω栅极电阻)
  • 4.61 A峰值电流(2 Ω栅极电阻)
  • 输出功率器件电阻:<1 Ω
  • 去饱和保护
    • 隔离的去饱和故障报告
    • 故障时软关断
  • 带栅极检测输入的米勒箝位输出
  • 隔离故障和就绪功能
  • 低传输延迟:55 ns(典型值)
  • 最小脉冲宽度:50 ns
  • 工作温度范围:−40°C至+125°C
  • 输出电压范围至30 V
  • 输入电压范围:2.5 V至6 V
  • 输出和输入欠压保护(UVLO)
  • 爬电距离:7.8 mm(最小值)
  • 共模瞬变抗扰度(CMTI):100 kV/μs
  • 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
  • 安全和法规认证
    • 1分钟5 kV AC,符合UL 1577
    • CSA元件验收通知5A
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • VIORM= 849 V峰值(加强)
  • 通过汽车应用认证
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ADuM4135是一款单通道栅极驱动器,专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位,可在栅极电压低于2 V(典型值)时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路,都可以采用单极或双极次级电源供电。

ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当器件副边出现故障时,可以在原边对复位操作进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4135上,提供高压短路IGBT工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能,比如在开关动作之后提供370 ns(典型值)的屏蔽时间,用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA(典型值)电流源有助于降低整体器件数量,如需提高抗噪水平,内部消隐开关也支持使用外部电流源。

考虑到IGBT通用阈值电压,副边UVLO设置为11.67 V(典型值)。

应用

  • MOSFET/IGBT栅极驱动器
  • 光伏逆变器
  • 电机驱动器
  • 电源
  • 汽车电子

产品技术资料帮助

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ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

参考资料

视频

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
ADUM4135BRWZ
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2月 27, 2020

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ADuM4135 Die Revision and Data Sheet Change

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软件和型号相关生态系统

评估套件 2

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EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE

MICROSEMI-SIC-MODULE评估板

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EVAL-MICROSEMI-SIC-MODULE

MICROSEMI-SIC-MODULE评估板

MICROSEMI-SIC-MODULE评估板

特性和优点

  • 半桥拓扑
  • 1200V、50A、200kHz
  •  >100kV/us CMTI
  • 4层PCB
  • 12V VIN电源
  • 独立的高端和低端PWM输入(单一控制,70ns死区时间用于测试)
  • 1 LT3999 + 1 ADuM4135(同时适用于高端和低端)
  • 全面测试的“去饱和保护”
  • 用于V+、V-和AC相位连接的低电感和高电流端子
 

产品详情

高功率评估板,在200kHz开关频率下提供高达1200V电压和50A电流,包含组合ADI ADuM4135隔离式栅极驱动器 + LT3999隔离电源控制器 + 采用半桥配置的Microsemi SiC电源模块。


欲了解更多信息,请发送电子邮件至:RenwBoards@analog.com.

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EVAL-ADUM4135

ADuM4135 评估板

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EVAL-ADUM4135

ADuM4135 评估板

产品详情

EVAL-ADuM4135EBZ支持ADuM4135单通道栅极驱动器,并专门针对驱动IGBT进行了优化。 ADI的 iCoupler® 技术支持在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。


ADuM4135提供米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现稳健的IGBT单轨电源关断。可采用带有或不带有米勒箝位的单极性或双极性副电源工作。 ADI芯片级变压器还提供芯片高压域与低压域之间的控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。 当器件原边出现副电源故障后,对器件复位进行控制。


去饱和检测电路集成在ADuM4135上,提供高压短路IGBT工作保护。 去饱和保护包含降噪特性,比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后,屏蔽时间为300 ns。 内部500 µA电流源可确保很少的器件数量,但如需提高抗噪水平,内部消隐开关也支持增加外部电流源。


工具及仿真模型 2

LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器,为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。

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