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英文数据手册 Rev. E
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用户手册
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IBIS模型
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概览

优势和特点

  • 13 A短路源电流（0 Ω栅极电阻）
  • 14 A短路吸电流（0 Ω栅极电阻）
  • 4.61 A峰值电流（2 Ω栅极电阻）
  • 输出功率器件电阻：<1 Ω
  • 去饱和保护
    • 隔离的去饱和故障报告
    • 故障时软关断
  • 带栅极检测输入的米勒箝位输出
  • 隔离故障和就绪功能
  • 低传输延迟：55 ns（典型值）
  • 最小脉冲宽度：50 ns
  • 工作温度范围：−40°C至+125°C
  • 输出电压范围至30 V
  • 输入电压范围：2.5 V至6 V
  • 输出和输入欠压保护(UVLO)
  • 爬电距离：7.8 mm（最小值）
  • 共模瞬变抗扰度(CMTI)：100 kV/μs
  • 600 V rms或1092 V直流工作电压时寿命可达20年
  • 安全和法规认证
    • 1分钟5 kV AC，符合UL 1577
    • CSA元件验收通知5A
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • VIORM= 849 V峰值（加强）
  • 通过汽车应用认证

产品详情

ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。

ADuM4135提供米勒箝位，可在栅极电压低于2 V（典型值）时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路，都可以采用单极或双极次级电源供电。

ADI公司芯片级变压器还提供芯片高压侧与低压侧之间的控制信息隔离通信。芯片状态信息可从专用输出读取。当器件副边出现故障时，可以在原边对复位操作进行控制。

去饱和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供370 ns（典型值）的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA（典型值）电流源有助于降低整体器件数量，如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持使用外部电流源。

考虑到IGBT通用阈值电压，副边UVLO设置为11.67 V（典型值）。

应用

  • MOSFET/IGBT栅极驱动器
  • 光伏逆变器
  • 电机驱动器
  • 电源
  • 汽车电子

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领域

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参考资料

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  • 数据手册 (1)
  • 应用笔记 (4)
  • 用户手册 (1)
  • 中文系统方案 (6)
  • 安全和法规认证 (1)
  • 在线研讨会 (10)
  • 产品选型手册 (1)
  • 解决方案通报和手册 (1)
  • 视频 (13)
  • 技术文章 (6)
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    在线研讨会
    视频

    工具及仿真模型

    LTspice

    LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器，为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。

    LTspice

    LTspice中提供以下器件型号：

    ADUM4135

    IBIS模型

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    ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

    Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
    ADUM4135BRWZ 材料声明 质量和可靠性 16-Lead SOIC Wide
    ADUM4135BRWZ-RL 材料声明 质量和可靠性 16-Lead SOIC Wide
    ADUM4135WBRWZ 材料声明 质量和可靠性 16-Lead SOIC Wide
    ADUM4135WBRWZ-RL 材料声明 质量和可靠性 16-Lead SOIC Wide
    Wafer Fabrication Data

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