用于ADGM1304的评估板是一个双芯片、射频(RF)开关解决方案，内置单刀四掷(SP4T)、微型机电系统(MEMS)开关和控制芯片，均采用紧凑型5 mm × 4 mm LFCSP封装。SP4T开关采用ADI公司的MEMS开关技术，提供适合RF应用的最佳带宽、功耗处理能力和线性度性能。控制芯片可生成MEMS开关所需的高压信号，允许用户通过简单、灵活的互补金属氧化物半导体/低压晶体管对晶体管逻辑LVTTL兼容型并行接口控制其操作。

该评估板配有用于RF和控制信号的连接器以及链路，允许用户控制开关操作并评估其性能。

使用评估板时，有关操作信息请参阅ADGM1304数据手册。

图1所示的电路使用RF MEMS开关在两台表贴RF衰减器和两条直通路径之间路由RF信号。

衰减RF信号通常在RF测试仪器仪表和接收器前端完成，以保护下游电路并扩大动态范围。使用分立式衰减器和开关可最大程度提升设计灵活性，增加路由选项。在图1电路图中，两个ADGM1304单刀四掷(SP4T) RF MEMS开关按背靠背方式配置，在输入和输出端之间产生了四条独立可切换路径。前两条路径是直通传输线，第三条包含一个6 dB衰减器，第四条包含一个9 dB衰减器。实现此应用的关键在于：利用超低的插入损耗和高线性度开关，在不同路径选项之间进行多路复用。

开关必须对RF信号尽可能通透，且应尽量避免增加插入损耗和失真。ADGM1304开关在2.5 GHz时提供同类最佳的插入损耗0.26 dB，以及69 dBm的典型三阶交调截点(IP3)性能。除了插入损耗和失真之外，MEMS开关为此应用带来的另一个关键优势是其能够将运行电压降低至真正的直流。这意味着，在典型RF仪器仪表衰减器开关应用中开关不会限制低频工作，使得仪器仪表能够在必要时传递直流偏置电压。

ADGM1304器件的物理尺寸为4 mm × 5 mm × 0.95 mm，与传统的机电继电器开关解决方案相比，它大幅减小了印刷电路板(PCB)的面积。此外，ADGM1304开关的启动速度为30 μs，与机电继电器相比有显著提升，后者是毫秒量级，并在测量系统中引入显著延时。ADGM1304器件的启动生命周期可保证10亿个周期，与电机式继电器相比，这是一大改进，此外，它还大幅提升了系统的整体可靠性。