用于ADGM1304的评估板是一个双芯片、射频(RF)开关解决方案，内置单刀四掷(SP4T)、微型机电系统(MEMS)开关和控制芯片，均采用紧凑型5 mm × 4 mm LFCSP封装。SP4T开关采用ADI公司的MEMS开关技术，提供适合RF应用的最佳带宽、功耗处理能力和线性度性能。控制芯片可生成MEMS开关所需的高压信号，允许用户通过简单、灵活的互补金属氧化物半导体/低压晶体管对晶体管逻辑LVTTL兼容型并行接口控制其操作。

该评估板配有用于RF和控制信号的连接器以及链路，允许用户控制开关操作并评估其性能。

使用评估板时，有关操作信息请参阅ADGM1304数据手册。

图1所示的电路使用RF MEMS开关在两台表贴RF衰减器和两条直通路径之间路由RF信号。

衰减RF信号通常在RF测试仪器仪表和接收器前端完成，以保护下游电路并扩大动态范围。使用分立式衰减器和开关可最大程度提升设计灵活性，增加路由选项。在图1电路图中，两个ADGM1304单刀四掷(SP4T) RF MEMS开关按背靠背方式配置，在输入和输出端之间产生了四条独立可切换路径。前两条路径是直通传输线，第三条包含一个6 dB衰减器，第四条包含一个9 dB衰减器。实现此应用的关键在于：利用超低的插入损耗和高线性度开关，在不同路径选项之间进行多路复用。

开关必须对RF信号尽可能没有影响，且应尽量避免增加插入损耗和失真。ADGM1304开关在2.5 GHz时提供同类最佳的插入损耗0.26 dB，以及69 dBm的典型三阶交调截点(IP3)性能。除了插入损耗和失真之外，MEMS开关为此应用带来的另一个关键优势是其能够传输真正的直流信号。这意味着，在典型RF仪器仪表衰减器开关应用中开关不会限制低频工作，使得仪器仪表能够在必要时传递直流偏置电压。

ADGM1304器件的物理尺寸为4 mm × 5 mm × 0.95 mm，与传统的机电继电器开关解决方案相比，它大幅减小了印刷电路板(PCB)的面积。此外，ADGM1304开关的启动速度为30 μs，与机电继电器相比有显著提升，后者是毫秒量级，并在测量系统中引入显著延时。ADGM1304器件的启动生命周期可保证10亿个周期，与机电继电器相比，这是一大改进，此外，它还大幅提升了系统的整体可靠性。