ADGM3121

推荐用于新设计

3mm × 3mm 双刀双掷 MEMS 开关，0Hz/直流至 24GHz

产品模型: 3

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概述

−3dB 频率带宽：
- RF1A 和 RF1B：24GHz
- RF2A 和 RF2B：22GHz
最高比特率可达 64Gbps
RF 性能特性
- 通道 RF1A 和通道 RF1B：
  - 插入损耗：6GHz 时典型值为 0.5dB
  - 回波损耗：6GHz 时典型值为 24dB
  - 隔离：6GHz 时典型值为 24dB
- 通道 RF2A 和通道 RF2B：
  - 插入损耗：6GHz 时典型值为 0.4dB
  - 回波损耗：6GHz 时典型值为 29dB
  - 隔离：6GHz 时典型值为 26dB

高输入 IIP3：70dBm（典型值）
高 RF 功率处理能力：33dBm（最大值）
导通电阻：1.9Ω（典型值）
高直流电流处理能力：200mA
高开关周期数：1 亿次循环（+85°C时的最小值）
快速切换时间：200μs TON（最大值）
集成 3.3V 驱动器，可通过并行接口和 SPI 接口轻松控制。
节省空间的集成式无源分流电阻器
小型 3mm × 3mm × 1.5mm，24 引脚焊盘栅阵列封装
温度范围：−40°C 至 +85°C

ADGM3121 是一款宽带双刀双掷 (DPDT) 开关，采用 Analog Devices, Inc. 的微机电系统 (MEMS) 开关技术制造。该技术实现了小型化、宽射频带宽、高线性度、低插入损耗的开关，其工作频率可低至 0Hz/直流，使其成为各种射频和精密设备开关需求的理想解决方案。

集成驱动芯片产生高电压，通过静电方式驱动开关，该开关可通过并行接口或串行外设接口 (SPI) 进行控制。所有开关都是独立可控的。

该器件采用 24 引脚、3mm × 3mm × 1.5mm 焊盘阵列封装。为确保 ADGM3121 的最佳运行，请参阅关键运行要求部分。

ADGM3121 的导通电阻 (RON) 性能受器件间差异、通道间差异、周期驱动、开机后稳定时间、偏置电压和温度变化的影响。

应用

ATE 加载和探针板
具有高速环回测试功能的直流
支持数字标准：高速串行化/反串行化、PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 4 和 PAM 4
继电器替代方案
可重构滤波器和衰减器
军用和微波无线电
蜂窝基础设施：5G 毫米波

产品模型: 3

参考资料

数据手册 1

ADGM3121: 3mm × 3mm DPDT MEMS Switch, 0Hz/DC to 24GHz Data Sheet (Rev.0) 12/12/2025

用户手册 1

EVAL-ADGM3121 User Guide: Evaluating the ADGM3121 3mm × 3mm DPDT MEMS Switch, 0Hz/DC to 24GHz (Rev.0) 12/12/2025

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
ADGM3121BCCZ	24-Terminal LGA (3.0 mm x 3.0 mm x 01.50 mm)	Material Declaration Reliability Report 资料包	Ultra Librarian SamacSys
ADGM3121BCCZ-R2	24-Terminal LGA (3.0 mm x 3.0 mm x 01.50 mm)	Material Declaration Reliability Report 资料包	Ultra Librarian SamacSys
ADGM3121BCCZ-RL7	24-Terminal LGA (3.0 mm x 3.0 mm x 01.50 mm)	Material Declaration Reliability Report 资料包	Ultra Librarian SamacSys

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工具及仿真模型

IBIS 模型 1

ADGM3121 - IBIS Model

S-参数 2

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特性和优点

单电源电压：3.3V
宽频率范围：直流至 24GHz
用于射频信号的 2.92 毫米连接器
并行接口和 SPI
通过传输线进行板载校准，用于分析仪校准

产品详情

本用户指南介绍了 EVAL-ADGM3121SDZ 的相关信息。 ADGM3121，是一款双芯片射频开关解决方案，包含一个双刀双掷 (DPDT) 微机电系统 (MEMS) 开关和一个控制芯片，采用紧凑的 3.00mm × 3.00mm × 1.50mm LGA 封装。

DPDT 开关采用ADI公司的 MEMS 开关技术，为射频应用提供带宽、功率处理能力和线性度方面的最佳性能。控制芯片生成 MEMS 开关所需的高压信号，并允许用户通过简单灵活的互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容并行接口以及通过串行外设接口 (SPI) 控制其操作。可以将多个 ADGM3121 器件以菊花链方式连接在一起，从而以最少的数字走线配置多个套件。

对于 SPI，EVAL-ADGM3121SDZ 通过系统演示平台 (SDP) 板连接到 PC 的 USB 端口。用户可在 ADI 公司网站上订购 EVAL-SDP-CB1Z 板（SDP-B 控制器板）。

ADGM3121 配有射频和控制信号连接器，以及用于控制开关操作和评估其性能的链路。

有关 ADGM3121 的完整详细信息，请参阅 ADGM3121 数据表，在使用 EVAL-ADGM3121SDZ 时，必须将其与本用户指南一起查阅。

资料

EVAL-ADGM3121 User Guide: Evaluating the ADGM3121 3mm × 3mm DPDT MEMS Switch, 0Hz/DC to 24GHz (Rev.0)
2025/12/12