概览
优势和特点
- 用于控制 N 沟道 MOSFET
- 可替代功率肖特基二极管
- < 1μs 的关断时间可限制峰值故障电流
- 80V 工作电压
- 实现了无振荡的平滑切换
- 无反向 DC 电流
- 故障输出
- 可选的故障门限
- 采用 8 引脚 (3mm x 2mm) DFN 封装和 8 引脚 SO 封装
产品详情
LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。
首次上电时，MOSFET 体二极管负责传导负载电流，直到传输晶体管接通为止。LTC4354 负责维持传输晶体管两端的电压降，以确保从一个晶体管到另一个晶体管的平滑电流转换，而且并无振荡。
当对应的电源发生故障或短路时，MOSFET 将在不到 1μs 的时间内关断。这种快速关断可避免反向电流达到有可能损坏传输晶体管的水平。
若发生 MOSFET 短路、MOSFET 开路或电源故障时，则具有一个能够驱动 LED 或光耦合器之漏极开路输出的故障检测电路将发出指示信号。
应用
- AdvancedTCA 系统
- 计算机系统 / 服务器
- 电信基础设施
- 光网络
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
评估套件 (1)
文档
Reliability Data (1)
用户手册 (1)
工具及仿真模型
LTspice中提供以下器件型号：
LTC4354
参考资料
技术文章 (5)
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
PCN-PDN信息
样片申请及购买
电脑版网站提供样片和购买功能
这里所列出的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的每片美元，美国离岸价），如有修改不再另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于特殊批量报价，请与您当地的ADI公司办事处或代理商联络。对于评估板和套件的报价是指一个单位价格。